WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009108620) TRANSITIONS COAXIAL VERS MICRORUBAN ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108620    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/034962
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
H01P 5/08 (2006.01)
Déposants : MICROSEMI CORPORATION [US/US]; 2381 Morse Avenue Irvine, California (US) (Tous Sauf US).
SNODGRASS, David, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
GAUDETTE, Thomas, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
FAULKNER, Mark, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
FLACK, Thomas, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
HALTERMAN, Thomas, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
LA MARCHE, Mario, Pinamonti [US/US]; (US) (US Seulement).
ANDERSON, Edward, B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SNODGRASS, David, K.; (US).
GAUDETTE, Thomas, M.; (US).
FAULKNER, Mark, V.; (US).
FLACK, Thomas, G.; (US).
HALTERMAN, Thomas, E.; (US).
LA MARCHE, Mario, Pinamonti; (US).
ANDERSON, Edward, B.; (US)
Mandataire : KAHN, Simon; Microsemi Corporation 1 Hanagar Street Hod Hasharon, 45421 (IL)
Données relatives à la priorité :
12/038,546 27.02.2008 US
Titre (EN) COAXIAL-TO-MICROSTRIP TRANSITIONS AND MANUFACTURING METHODS
(FR) TRANSITIONS COAXIAL VERS MICRORUBAN ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Coaxial-to-microstrip transitions may include a microstrip line and coaxial-line assembly. The microstrip line includes a first dielectric having an aperture, a conductive strip disposed on one face of the first dielectric, and a ground plane disposed on the opposite face of the first dielectric. The coaxial-line assembly includes an outer conductor and an inner conductor. In some examples, the ground plane extends between the outer conductor and the inner conductor proximate the conductive strip and the aperture extends beyond the outer conductor on a side of the coaxial-line assembly distal the conductive strip. In some examples, the ground plane has a non-circular aperture. In some examples, the outer conductor encloses an area that is less than an area of the aperture. In some examples, the enclosed area has a width that is less than a corresponding width of the first aperture.
(FR)Des transitions coaxial vers microruban peuvent inclure une ligne microruban et un ensemble coaxial-ligne. La ligne microruban comprend un premier diélectrique qui présente une ouverture, une bande conductrice disposée sur une face du premier diélectrique, et un plan de masse disposé sur la face opposée du premier diélectrique. L'ensemble coaxial-ligne comprend un conducteur extérieur et un conducteur intérieur. Dans certains exemples, le plan de masse s'étend entre le conducteur extérieur et le conducteur intérieur à proximité de la bande conductrice et l'ouverture s'étend au-delà du conducteur extérieur sur un côté de l'ensemble coaxial-ligne distal à la bande conductrice. Dans certains exemples, le plan de masse présente une ouverture non circulaire. Dans certains exemples, le conducteur extérieur entoure une surface qui est inférieure à une surface de l'ouverture. Dans certains exemples, la surface entourée présente une largeur qui est inférieure à une largeur correspondante de la première ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)