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1. (WO2009108580) CORRECTION DE LA NON UNIFORMITÉ DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES (TFT) DANS UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE AMOLED
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108580    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/034735
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 20.02.2009
CIB :
G09G 3/20 (2006.01)
Déposants : LEADIS TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 800 W. California Avenue, Suite 200, Sunnyvale, CA 94086 (US) (Tous Sauf US).
MCCREARY, James, Leo [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MCCREARY, James, Leo; (US)
Mandataire : SONG, Jae, Won; Fenwick & West LLP, Silicon Valley Center, 801 California Street, Mountain View, CA 94041 (US)
Données relatives à la priorité :
61/031,220 25.02.2008 US
61/104,983 13.10.2008 US
12/389,273 19.02.2009 US
Titre (EN) CORRECTION OF TFT NON-UNIFORMITY IN AMOLED DISPLAY
(FR) CORRECTION DE LA NON UNIFORMITÉ DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES (TFT) DANS UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE AMOLED
Abrégé : front page image
(EN)Sub-pixel current in an OLED display is forced to converge to a desired level regardless of the source of pixel current error. By using a feedback loop, the pixel transistor current is forced to be equal to a predetermined target current that is established by an analog control circuit. The predetermined target current is selected to generate the desired pixel transistor current through the sub-pixel, and can be set by a target voltage. The sub-pixels have a 3T cell structure including 3 TFTs, for connecting the data line to the storage capacitor, driving the sub-pixel current, and connecting the OLED diode anode to the data line of the AMOLED panel. Thus, the feedback loop of the present invention (comprising a resistor string, an amplifier, a comparator, and digital logic) senses the pixel transistor current via the data lines of the AMOLED panel to compensate for Mura.
(FR)Selon l'invention, un courant de sous-pixel dans un dispositif d'affichage à diodes électroluminescentes organiques (OLED) est forcé à converger vers un niveau désiré indépendamment de la source d'erreur de courant de pixel. A l'aide d'une boucle de rétroaction, le courant de transistor de pixel est forcé à être égal à un courant cible prédéterminé qui est établi par un circuit de commande analogique. Le courant cible prédéterminé est sélectionné pour générer le courant de transistor de pixel désiré à travers le sous-pixel, et peut être réglé par une tension cible. Les sous-pixels ont une structure cellulaire 3T comprenant 3 transistors à couches minces (TFT), pour connecter la ligne de données au condensateur de stockage, entraîner le courant de sous-pixel et connecter l'anode de diode OLED à la ligne de données du panneau à matrice active de diodes électroluminescentes organiques (AMOLED). Ainsi, la boucle de rétroaction de la présente invention (comprenant une chaîne de résistances, un amplificateur, un comparateur et une logique numérique) détecte le courant de transistor de pixel par l'intermédiaire des lignes de données du panneau AMOLED pour compenser l'effet « Mura ».
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)