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1. (WO2009108488) PROCÉDÉ DE CROISSANCE SÉLECTIVE DE FILMS EN PLACAGE ÉLECTROCHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108488    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/033673
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 10.02.2009
CIB :
H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
YU, Jick M. [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Wei D. [CN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Rongjun [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHUNG, Hua [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YU, Jick M.; (US).
WANG, Wei D.; (US).
WANG, Rongjun; (US).
CHUNG, Hua; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.l.p., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
12/037,578 26.02.2008 US
Titre (EN) A PROCESS FOR SELECTIVE GROWTH OF FILMS DURING ECP PLATING
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE SÉLECTIVE DE FILMS EN PLACAGE ÉLECTROCHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of controlling deposition of metal on field regions of a substrate in an electroplating process are provided. In one aspect, a dielectric layer is deposited under plasma on the field region of a patterned substrate, leaving a conductive surface exposed in the openings. Electroplating on the field region is reduced or eliminated, resulting in void-free features and minimal excess plating. In another aspect, a resistive layer, which may be a metal, is used in place of the dielectric. In a further aspect, the surface of the conductive field region is modified to change its chemical potential relative to the sidewalls and bottoms of the openings.
(FR)L'invention concerne des procédés de contrôle de dépôt de métal sur des régions de champ de substrat, en placage électrochimique. Selon un aspect, on dépose une couche diélectrique sous plasma sur ladite zone d'un substrat aux détails façonnés, ce qui laisse une surface conductrice exposée dans les ouvertures. L'électroplacage sur la région de champ est réduit ou éliminé, permettant de façonner les détails sans vide et de réduire au minimum l'excédent de placage. Selon un autre aspect, une couche résistive, qui peut être un métal, est utilisée à la place du diélectrique. Selon un autre aspect encore, la surface de la région de champ conductrice est modifiée, pour induire un changement de potentiel chimique par rapport aux parois latérales et aux fonds des ouvertures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)