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1. (WO2009108474) COMPOSITIONS DE NETTOYAGE DE SUBSTRATS MICRO-ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108474    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/033148
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 05.02.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.04.2008    
CIB :
C09D 9/00 (2006.01)
Déposants : MALLINCKRODT BAKER, INC. [US/US]; 222 Red School Lane Phillipsburg, New Jersey 08865 (US) (Tous Sauf US).
GEMMILL, William, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GEMMILL, William, R.; (US)
Mandataire : COOKE, Christine, R.; Mallinckrodt Inc. 675 McDonnell Boulevard Hazelwood, Missouri 63042 (US)
Données relatives à la priorité :
61/032,449 29.02.2008 US
Titre (EN) MICROELECTRONIC SUBSTRATE CLEANING COMPOSITIONS
(FR) COMPOSITIONS DE NETTOYAGE DE SUBSTRATS MICRO-ÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic cleaning compositions of: a) from about 80 % to about 99 % by weight of the composition of at least one organic sulfone; b) from about 0.5 % to about 19 % by weight of the composition of water; and c) from about 0.5 % to about 10 % by weight of the composition of at least one component providing tetrafluoroborate ion, and d) optionally at least one polyhydric alcohol. is especially useful to clean etch/ash residues from microelectronic substrates or device having both Si-based anti-reflective coatings and low-k dielectrics.
(FR)L'invention porte sur des compositions de nettoyage de substrats micro-électroniques formées pour : a) environ 80 % à environ 99 % en poids de la composition d'au moins un sulfone organique ; b) environ 0,5 % en poids à environ 19 % en poids de la composition d'eau ; et c) environ 0,5 % à environ 10 % en poids de la composition d'au moins un composant fournissant un ion tétrafluoroborate, et d) facultativement au moins un alcool polyvalent sont particulièrement utiles pour nettoyer des résidus d'attaque chimique/cendre à partir de substrats ou dispositifs micro-électroniques ayant à la fois des revêtements anti-reflets à base de Si et des diélectriques à faible permittivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)