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1. (WO2009108411) COMPOSANT DE SYSTÈMES MICROÉLECTROMÉCANIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108411    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/031207
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 16.01.2009
CIB :
B81B 7/00 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
MILLER, Melvy F. [US/US]; (US) (US Seulement).
KOURY, Daniel N., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Lianjun [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MILLER, Melvy F.; (US).
KOURY, Daniel N., Jr.; (US).
LIU, Lianjun; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
12/040,737 29.02.2008 US
Titre (EN) MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS COMPONENT AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) COMPOSANT DE SYSTÈMES MICROÉLECTROMÉCANIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A microelectromechanical systems (MEMS) component (20) includes a portion (32) of a MEMS structure (30) formed on a semiconductor substrate (34) and a portion (36) of the structure (30) formed in a non-semiconductor substrate (22). The non-semiconductor substrate (22) is in fixed communication with the semiconductor substrate (34) with the portion (32) of the MEMS structure (30) being interposed between the substrates (34) and (22). A fabrication method (96) entails utilizing semiconductor thin-film processing techniques to form the portion (32) on the semiconductor substrate (34), and utilizing a lower cost processing technique to fabricate the portion (36) in the non-semiconductor substrate (22). The portions (32) and (36) are coupled to yield the MEMS structure (30), and the MEMS structure (30) can be attached to another substrate as needed for additional functionality.
(FR)L'invention porte sur un composant de systèmes microélectromécaniques (MEMS) (20) qui comprend une partie (32) d'une structure MEMS (30) formée sur un substrat semiconducteur (34) et une partie (36) de la structure (30) formée dans un substrat non semiconducteur (22). Le substrat non semiconducteur (22) est en communication fixe avec le substrat semiconducteur (34), la partie (32) de la structure MEMS (30) étant interposée entre les substrats (34) et (22). Un procédé de fabrication (96) comprend l'utilisation de techniques de traitement de couches minces semiconductrices pour former la partie (32) sur le substrat semiconducteur (34), et l'utilisation d'une technique de traitement à plus faible coût pour fabriquer la partie (36) dans le substrat non semiconducteur (22). Les parties (32) et (36) sont couplées pour obtenir la structure MEMS (30), et la structure MEMS (30) peut être fixée à un autre substrat si cela est nécessaire pour une fonctionnalité supplémentaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)