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1. (WO2009108313) FERMETURE HERMÉTIQUE D’UN DISPOSITIF SANS ÉTAPE DE TRAITEMENT THERMIQUE ET DISPOSITIF FERMÉ HERMÉTIQUEMENT AINSI OBTENU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108313    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001190
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US) (Tous Sauf US).
AITKEN, Bruce, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
KOVAL, Shari, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
QUESADA, Mark, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AITKEN, Bruce, G.; (US).
KOVAL, Shari, E.; (US).
QUESADA, Mark, A.; (US)
Mandataire : ABLE, Kevin, M.; Corning Incorporated, SP-TI-3-1, Intellectual Property Department, Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
12/072,784 28.02.2008 US
Titre (EN) HERMETICALLY SEALING A DEVICE WITHOUT A HEAT TREATING STEP AND THE RESULTING HERMETICALLY SEALED DEVICE
(FR) FERMETURE HERMÉTIQUE D’UN DISPOSITIF SANS ÉTAPE DE TRAITEMENT THERMIQUE ET DISPOSITIF FERMÉ HERMÉTIQUEMENT AINSI OBTENU
Abrégé : front page image
(EN)A method for hermetically sealing a device without performing a heat treatment step and the resulting hermetically sealed device are described herein. The method includes the steps of: (1) positioning the un-encapsulated device in a desired location with respect to a deposition device; and (2) using the deposition device to deposit a sealing material over at least a portion of the un-encapsulated device to form a hermetically sealed device without having to perform a post-deposition heat treating step. For instance, the sealing material can be a Sn2+-containing inorganic oxide material or a low liquidus temperature inorganic material.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de fermer hermétiquement un dispositif sans passer par une étape de traitement thermique et le dispositif fermé hermétiquement ainsi obtenu. Le procédé comprend les étapes consistant à : (1) disposer le dispositif non encapsulé à un emplacement souhaité par rapport à un dispositif de dépôt ; (2) utiliser le dispositif de dépôt pour déposer un matériau de scellage sur au moins une partie du dispositif non encapsulé pour obtenir un dispositif hermétiquement fermé sans avoir à réaliser une étape de traitement thermique après le dépôt. Le matériau de scellage peut, par exemple, être une matière d’oxyde inorganique contenant du Sn2+ ou une matière inorganique présentant une température de liquidus basse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)