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1. (WO2009108268) TERMINAISON DE BORD D'ANNEAU À DOUBLE PROTECTION POUR DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM LA CONTENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108268    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/000734
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 05.02.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.12.2009    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Qingchun [CN/US]; (US) (US Seulement).
JONAS, Charlotte [US/US]; (US) (US Seulement).
AGARWAL, Anant, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Qingchun; (US).
JONAS, Charlotte; (US).
AGARWAL, Anant, K.; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
12/037,211 26.02.2008 US
Titre (EN) DOUBLE GUARD RING EDGE TERMINATION FOR SILICON CARBIDE DEVICES AND METHODS OF FABRICATING SILICON CARBIDE DEVICES INCORPORATING SAME
(FR) TERMINAISON DE BORD D'ANNEAU À DOUBLE PROTECTION POUR DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM LA CONTENANT
Abrégé : front page image
(EN)Edge termination structures for semiconductor devices are provided including a plurality of spaced apart concentric floating guard rings in a semiconductor layer that at least partially surround a semiconductor junction. The spaced apart concentric floating guard rings have a highly doped portion and a lightly doped portion. Related methods of fabricating devices are also provided herein.
(FR)La présente invention concerne des structures de terminaison de bord destinées à des dispositifs à semi-conducteurs, comprenant une pluralité d'anneaux de protection flottants et concentriques, espacés, dans une couche à semi-conducteurs qui entoure au moins partiellement une jonction à semi-conducteurs. Les anneaux de protection flottants concentriques et espacés disposent d'une partie fortement dopée et d'une partie légèrement dopée. L’invention concerne également des procédés connexes de fabrication de dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)