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1. (WO2009108266) PROCÉDÉ D’IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA AVEC CONDITIONNEMENT DE CHAMBRE ET DÉCHARGE DE PLASMA DE COUCHES DE CONDITIONNEMENT POUR DESSERRAGE DE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108266    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/000692
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 02.02.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : VELLAIKAL, Manoj; (US).
SANTHANAM, Kartik; (US).
TA, Yen, B.; (US).
HILKENE, Martin, A.; (US).
SCOTNEY-CASTLE, Matthew, D.; (US).
LAI, Canfeng; (US).
PORSHNEV, Peter, I.; (US).
FOAD, Majeed, A.; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert, M.; Law Office Of Robert M. Wallace, 2112 Eastman Avenue, Suite 102, Ventura, CA 93003 (US)
Données relatives à la priorité :
12/072,495 25.02.2008 US
Titre (EN) PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION PROCESS WITH CHAMBER SEASONING AND SEASONING LAYER PLASMA DISCHARGING FOR WAFER DECHUCKING
(FR) PROCÉDÉ D’IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA AVEC CONDITIONNEMENT DE CHAMBRE ET DÉCHARGE DE PLASMA DE COUCHES DE CONDITIONNEMENT POUR DESSERRAGE DE TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)In a plasma immersion ion implantation process, the thickness of a pre-implant chamber seasoning layer is increased (to permit implantation of a succession of wafers without replacing the seasoning layer) without loss of wafer clamping electrostatic force due to increased seasoning layer thickness. This is accomplished by first plasma-discharging residual electrostatic charge from the thick seasoning layer. The number of wafers which can be processed using the same seasoning layer is further increased by fractionally supplementing the seasoning layer after each wafer is processed, which may be followed by a brief plasma discharging of the supplemented seasoning before processing the next wafer.
(FR)Dans un procédé d’implantation ionique par immersion plasma, l’épaisseur d’une couche de conditionnement de chambre de pré-implantation est augmentée (pour permettre l’implantation d’une succession de tranches sans remplacer la couche de conditionnement) sans perte de la force électrostatique de serrage de la tranche due à une épaisseur de couche de conditionnement augmentée. Cela est réalisé par une première décharge plasmatique d’une charge électrostatique résiduelle à partir de la couche de conditionnement épaisse. Le nombre des tranches qui peuvent être traitées avec la même couche de conditionnement est encore augmenté en complétant très légèrement la couche de conditionnement après le traitement de chaque tranche, qui peut être suivi par une brève décharge de plasma du conditionnement complété avant le traitement de la tranche suivante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)