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1. (WO2009108221) THERMALISATION DE PRÉCURSEURS GAZEUX DANS LES RÉACTEURS DE CVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108221    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/081767
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 30.10.2008
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
ARENA, Chantal [US/US]; (US) (US Seulement).
WERKHOVEN, Christiaan, J. [NL/US]; (US) (US Seulement).
BERTRAM, JR., Ronald, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
LINDOW, Ed [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ARENA, Chantal; (US).
WERKHOVEN, Christiaan, J.; (US).
BERTRAM, JR., Ronald, Thomas; (US).
LINDOW, Ed; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; Winston & Strawn LLP Patent Department 1700 K Street, N.W. Washington, D.C. 20006-3817 (US)
Données relatives à la priorité :
61/031,837 27.02.2008 US
Titre (EN) THERMALIZATION OF GASEOUS PRECURSORS IN CVD REACTORS
(FR) THERMALISATION DE PRÉCURSEURS GAZEUX DANS LES RÉACTEURS DE CVD
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to the field of semiconductor processing and provides apparatus and methods that improve chemical vapor deposition (CVD) of semiconductor materials by promoting more efficient thermalization of precursor gases prior to their reaction. In preferred embodiments, the invention comprises heat transfer structures and their arrangement within a CVD reactor so as to promote heat transfer to flowing process gases. In certain preferred embodiments applicable to CVD reactors transparent to radiation from heat lamps, the invention comprises radiation-absorbent surfaces placed to intercept radiation from the heat lamps and to transfer it to flowing process gases.
(FR)La présente invention concerne le domaine du traitement des semiconducteurs et concerne un appareil et des procédés qui améliorent le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de matériaux semiconducteurs en favorisant une thermalisation à meilleur rendement de gaz précurseurs avant leur réaction. Dans des modes de réalisation préférés, l'invention comprend des structures de transfert de chaleur et leur disposition au sein d’un réacteur CVD de façon à favoriser le transfert de chaleur vers des gaz de process en circulation. Dans certains modes de réalisation préférés applicables aux réacteurs CVD transparents aux rayonnements issus de lampes chauffantes, l’invention comprend des surfaces absorbant les rayonnements, placées de façon à intercepter le rayonnement issu des lampes chauffantes et à le transférer aux gaz de process en circulation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)