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1. (WO2009108175) STRUCTURES DE CONDENSATEUR À NANOTUBES DE CARBONE ET PROCÉDÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108175    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/013624
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 12.12.2008
CIB :
H01G 4/00 (2006.01), H01G 4/005 (2006.01)
Déposants : THE LUTHERAN UNIVERSITY ASSOCIATION, INC. d/b/a VALPARAISO UNIVERSITY [US/US]; 1700 Chapel Drive Kretzmann Hall Valparaiso, IN 46383 (US) (Tous Sauf US).
BUDNIK, Mark, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSON, Eric, W. [--/US]; (US) (US Seulement).
WOOD, Joshua, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BUDNIK, Mark, M.; (US).
JOHNSON, Eric, W.; (US).
WOOD, Joshua, D.; (US)
Mandataire : PASKY, Jonathan, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/007,598 12.12.2007 US
Titre (EN) CARBON NANOTUBE CAPACITOR STRUCTURES AND METHODS
(FR) STRUCTURES DE CONDENSATEUR À NANOTUBES DE CARBONE ET PROCÉDÉS
Abrégé : front page image
(EN)Structures and methods utilizing vertically grown carbon nanotubes (CNTs) in the formation of carbon nanotube capacitors (CNCAP) are provided. In various embodiments, the CNCAP structures include variously dense CNT bundles or walls as replacements for traditional inter-metal layer interconnects, utilizing various CNT diameters, inter-CNT spacing and CNT length.
(FR)L'invention concerne des structures et des procédés qui utilisent des nanotubes de carbone à croissance verticale (CNT) dans la formation de condensateurs à nanotubes de carbone (CNCAP). Dans différents modes de réalisation, les structures CNCAP contiennent des faisceaux ou parois CNT de densité variable pour remplacer les interconnexions classiques de couches intermétalliques, utilisant différents diamètres de CNT, différents écartements entre CNT et différentes longueurs de CNT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)