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1. (WO2009108173) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLÉMENTS DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108173    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/013499
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 09.12.2008
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : NANOSYS, INC. [US/US]; 2625 Hanover Street Palo Alto, CA 94304 (US) (Tous Sauf US).
LEON, Francisco [US/US]; (US) (US Seulement).
LEMMI, Francesco [IT/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
DUTTON, David [US/US]; (US) (US Seulement).
STUMBO, David, P. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEON, Francisco; (US).
LEMMI, Francesco; (US).
MILLER, Jeffrey; (US).
DUTTON, David; (US).
STUMBO, David, P.; (US)
Mandataire : FEATHERSTONE, Donald, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/006,028 14.12.2007 US
61/064,363 29.02.2008 US
61/064,954 04.04.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMATION OF SUBSTRATE ELEMENTS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLÉMENTS DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to methods of forming substrate elements, including semiconductor elements such as nanowires, transistors and other structures, as well as the elements formed by such methods.
(FR)La présente invention concerne, d'une part des procédés de formation d'éléments de substrat, y-compris des éléments semi-conducteurs tels que des nanofils, des transistors et d'autres structures, et d'autre part les éléments obtenus par ces procédés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)