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1. (WO2009107755) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107755    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053614
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 20.02.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Hirofumi [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Hirofumi;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-048412 28.02.2008 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device includes a pixel region which is configured such that a photoelectric conversion unit and a signal scanning circuit unit are included in a semiconductor substrate, and a matrix of unit pixels is disposed, and a driving circuit region which is configured such that a device driving circuit for driving the signal scanning circuit unit is disposed on the semiconductor substrate, wherein the photoelectric conversion unit is provided on a back surface side of the semiconductor substrate, which is opposite to a front surface of the semiconductor substrate where the signal scanning circuit unit is formed, and the unit pixel includes an insulation film which is provided in a manner to surround a boundary part with the unit pixel that neighbors and defines a device isolation region.
(FR)Un dispositif d'imagerie à semiconducteurs selon l'invention comprend une zone de pixels qui est configurée de façon à ce qu'une unité de conversion photoélectrique et une unité de circuit de balayage de signal soient incluses dans un substrat semiconducteur, une matrice de pixels unitaires étant disposée, ainsi qu'une zone de circuit d'attaque qui est configurée de telle sorte qu'un circuit d'attaque de dispositif servant à attaquer l'unité de circuit de balayage de signal soit disposé sur le substrat semiconducteur, l'unité de conversion photoélectrique étant prévue sur un côté de surface arrière du substrat semiconducteur, lequel est en regard d'une surface avant du substrat semiconducteur où est formée l'unité de circuit de balayage de signal, et le pixel unitaire comprend un film d'isolation qui est disposé de manière à entourer une partie formant limite avec le pixel unitaire qui jouxte et définit une zone d'isolation de dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)