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1. (WO2009107733) SOURCE FILMOGÈNE, APPAREIL DE FORMATION DE DÉPÔT, ET APPAREIL POUR LA FABRICATION D'UN ÉLÉMENT EL ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107733    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053578
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa, 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
NEGISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOSHIDA, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NEGISHI, Toshio; (JP).
KOSHIDA, Tatsuhiko; (JP)
Mandataire : ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-044349 26.02.2008 JP
Titre (EN) FILM FORMING SOURCE, DEPOSITION APPARATUS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT
(FR) SOURCE FILMOGÈNE, APPAREIL DE FORMATION DE DÉPÔT, ET APPAREIL POUR LA FABRICATION D'UN ÉLÉMENT EL ORGANIQUE
(JA) 成膜源、蒸着装置、有機EL素子の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a film forming source with which a high-quality thin film can be formed. Since each switch valve (70) is in a closed state when a blocking member (72) adheres to a molten metal, gas blocking performance is high in the closed state, and furthermore, dusts are not generated. In the case of generating vapor of different deposition materials (39) by a plurality of vapor generating apparatuses (20), since the vapor generated by the selected vapor generating apparatus (20) is not mixed with the vapor generated by other vapor generating apparatus, the deposition material (39) other than for forming a film is not mixed, and contamination due to dust generation is not caused. Therefore, the high-quality thin film can be obtained.
(FR)Selon l'invention, il est possible de former une source filmogène présentant un film mince de haute qualité. Comme chaque clapet de commutation (70) est à l'état fermé lorsqu'un élément de blocage (72) adhère à un métal fondu, l'efficacité du blocage de gaz est élevée à l'état fermé et, de plus, des poussières ne sont pas produites. Dans le cas de génération de vapeur contenant différentes matières de dépôt (39) par plusieurs appareils de génération de vapeur (20), comme la vapeur produite par l'appareil de génération de vapeur sélectionné n'est pas mélangée à la vapeur produite par un autre appareil de génération de vapeur, la matière de dépôt (39) autre que celle destinée à former un film n'est pas mélangée, et la contamination causée par la production de poussières n'a pas lieu. Il est ainsi possible d'obtenir un film mince de haute qualité.
(JA) 膜質の良い薄膜を成膜可能な成膜源を提供する。各開閉バルブ70は、遮蔽部材72が溶融した金属に密着することで閉状態になるから、閉状態の気体遮蔽性が高く、しかも発塵しない。複数の蒸気発生装置20で別々の蒸着材料39の蒸気を発生させる場合、選択した蒸気発生装置20で発生した蒸気は、他の蒸気発生装置からの蒸気と混合されないから、成膜目的以外の蒸着材料39が混入せず、発塵による汚染も起こらない。従って、膜質の良い薄膜が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)