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1. (WO2009107701) ÉLÉMENT DE SUPPORT DE TRANCHE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107701    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053505
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
MIGITA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIGITA, Yasushi; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-045092 26.02.2008 JP
2008-079600 26.03.2008 JP
Titre (EN) WAFER-SUPPORTING MEMBER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND ELECTROSTATIC CHUCK USING THE SAME
(FR) ÉLÉMENT DE SUPPORT DE TRANCHE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE L'UTILISANT
(JA) ウェハ支持部材とその製造方法、及びこれを用いた静電チャック
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a wafer-supporting member having good temperature uniformity. The wafer-supporting member comprises a base, an insulating body, and a bonding layer for joining the base with the insulating body. The bonding layer has a multilayer structure including a first layer and a second layer which is arranged closer to the insulating body than the first layer. The first layer and the second layer have different thicknesses.
(FR)L'invention porte sur un élément de support de tranche ayant une bonne uniformité de température. L'élément de support de tranche comprend une base, un corps isolant et une couche de liaison pour assembler la base avec le corps isolant. La couche de liaison présente une structure multicouche comprenant une première couche et une seconde couche qui est agencée à une distance plus proche du corps isolant que la première couche. La première couche et la seconde couche ont des épaisseurs différentes.
(JA) 均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。そのウェハ支持部材は、基体と、絶縁体と、基体と絶縁体とを接合する接合層とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第1の層と該第1の層よりも絶縁体側に位置する第2の層とを含む複数の層の積層構造であり、第1の層と前記第2の層の厚みが異なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)