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1. (WO2009107669) FILM MINCE DE COMPOSÉ DE MÉTAL ET DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM MINCE DE COMPOSÉ DE MÉTAL ET DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107669    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053422
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
CIB :
C01B 33/06 (2006.01), C23C 14/28 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo, 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KANAYAMA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UCHIDA, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANAYAMA, Toshihiko; (JP).
UCHIDA, Noriyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-048520 28.02.2008 JP
2008-230650 09.09.2008 JP
2009-037261 20.02.2009 JP
Titre (EN) THIN FILM OF METAL SILICON COMPOUND AND PROCESS FOR PRODUCING THE THIN FILM OF METAL SILICON COMPOUND
(FR) FILM MINCE DE COMPOSÉ DE MÉTAL ET DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM MINCE DE COMPOSÉ DE MÉTAL ET DE SILICIUM
(JA) 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thin film of a metal silicon compound having a unit structure of transition metal-included silicon clusters in which the energy gap EHL between the highest occupied molecule orbit (HOMO) and the lowest unoccupied molecule orbit (LUMO) is opened. Also disclosed is a process for producing the thin film of the metal silicon compound. The thin film of the metal silicon compound is characterized in that the unit structure comprises clusters of a transition metal-included silicon which is a compound of a transition metal with silicon, the transition metal atom being surrounded by not less than 7 and not more than 16 silicon atoms, and silicon is located on the first and second neighbor atoms in the transition metal atoms.
(FR)L'invention porte sur un film mince d'un composé de métal et de silicium ayant une structure unitaire d'agrégats de silicium inclus dans un métal de transition dans laquelle la bande d'énergie interdite EHL entre la plus haute orbitale moléculaire occupée (HOMO) et la plus basse orbitale moléculaire non occupée (LUMO) est ouverte. L'invention porte également sur un procédé de fabrication du film mince du composé de métal et de silicium. Le film mince du composé de métal et de silicium est caractérisé en ce que la structure unitaire comprend des agrégats d'un silicium inclus dans un métal de transition qui est un composé d'un métal de transition comportant du silicium, l'atome de métal de transition étant entouré par 7 ou plus et pas plus de 16 atomes de silicium et le silicium étant situé sur les premier et second atomes voisins dans les atomes de métal de transition.
(JA) 本発明は、最高占有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギーギャップEHLの開いた遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とする金属珪素化合物薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。  遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、7個以上16個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第1及び第2近接原子にシリコンが配置されていることを特徴とする金属珪素化合物薄膜及びその製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)