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1. (WO2009107621) ELÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107621    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053326
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
CIB :
H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka, 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Kunio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUNOH, Yasumitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Kunio; (JP).
KUNOH, Yasumitsu; (JP).
HATA, Masayuki; (JP)
Mandataire : MIYAZONO, Hirokazu; Shin-Osaka MT Building I, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-049659 29.02.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 半導体レーザ素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor laser element in which occurrence of cracks in clad layers near an active layer can be suppressed. The semiconductor laser element (100) comprises a first semiconductor element part (120) and a support board (10) joined to the first semiconductor element part. The first semiconductor element part comprises a resonator, a first clad layer (22) of first conductive type including a first area (22a) which has a first width in the second direction (direction A) crossing the first direction (direction B) along which the resonator extends and a second area (22b) which has a second width smaller than the first width which is formed on the first area in the second direction, a first active layer (23) formed on the second area of the first clad layer, and a second clad layer (24) of second conductive type.
(FR)Cette invention se rapporte à un élément laser semi-conducteur dans lequel il est possible de supprimer l'apparition de fissures dans des couches de revêtement à proximité d'une couche active. L'élément laser semi-conducteur (100) comprend une première partie élément semi-conducteur (120) et une plaque de support (10) raccordée à la première partie élément semi-conducteur. La première partie élément semi-conducteur comprend un résonateur, une première couche de revêtement (22) d'un premier type de conductivité comprenant une première zone (22a) qui présente une première largeur dans la seconde direction (direction A) qui coupe la première direction (direction B), le long de laquelle le résonateur s'étend, et une seconde zone (22b) qui présente une seconde largeur plus petite que la première largeur et qui est formée sur la première zone dans la seconde direction, une première couche active (23) formée sur la seconde zone de la première couche de revêtement, et une seconde couche de revêtement (24) d'un second type de conductivité.
(JA) 活性層近傍のクラッド層にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子が得られる。この半導体レーザ素子(100)は、第1半導体素子部(120)と、第1半導体素子部に接合される支持基板(10)とを備え、第1半導体素子部は、共振器と、共振器の延びる第1の方向(B方向)と交差する第2の方向(A方向)において第1の幅を有する第1領域(22a)と、第2の方向において第1領域上に形成される第1の幅よりも小さい第2の幅を有する第2領域(22b)とを有する第1導電型の第1クラッド層(22)と、第1クラッド層の第2領域上に形成される第1活性層(23)および第2導電型の第2クラッド層(24)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)