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1. (WO2009107609) LASER À CASCADE QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107609    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053286
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka, 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
YAMANISHI, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJITA, Kazuue [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EDAMURA, Tadataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKIKUSA, Naota [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMANISHI, Masamichi; (JP).
FUJITA, Kazuue; (JP).
EDAMURA, Tadataka; (JP).
AKIKUSA, Naota; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-048060 28.02.2008 JP
Titre (EN) QUANTUM CASCADE LASER
(FR) LASER À CASCADE QUANTIQUE
(JA) 量子カスケードレーザ
Abrégé : front page image
(EN)A quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates, each consisting of a quantum well light emission layer (17) and an injection layer (18), are stacked in multiple stages. Each unit laminate (16) has an upper level (3) of emission, a lower level (2) of emission, and an injection level (4) which is a higher energy level than the upper level (3) in a subband level structure of the unit laminate (16), and is so configured that light (hν) may be generated by inter-subband transition of electrons from the level (3) to the level (2) in the light emission layer (17) and the electrons which have transited with emission of light may be injected into the injection level (4) in the subsequent stage via the injection layer (18). The light emission layer (17) includes two or more well layers, with the first well layer closest to the injection layer in the most previous stage constructed as a well layer for forming an injection level. Due to this structure, a quantum cascade laser which can be operated efficiently at high temperatures is implemented.
(FR)Un laser à cascade quantique selon l'invention est doté d'un substrat semiconducteur et d'une couche active présentant une structure en cascade dans laquelle des stratifiés unitaires, se composant chacun d'une couche émettrice de lumière à puits quantique (17) et d'une couche d'injection (18), sont empilés en étages multiples. Chaque stratifié unitaire (16) comporte un niveau supérieur (3) d'émission, un niveau inférieur (2) d'émission et un niveau d'injection (4) dont le niveau d'énergie est supérieur à celui du niveau supérieur (3) dans une structure au niveau d'une sous-bande du stratifié unitaire (16), et il est configuré de façon à ce que de la lumière (hυ) puisse être générée par transition de sous-bande à sous-bande d'électrons du niveau (3) vers le niveau (2) dans la couche émettrice de lumière (17), et les électrons qui ont transité avec l'émission de lumière peuvent être injectés dans le niveau d'injection (4) de l'étage suivant via la couche d'injection (18). La couche émettrice de lumière (17) comprend au moins deux couches à puits, la première couche à puits la plus proche de la couche d'injection de l'étage immédiatement précédent étant construite comme une couche à puits pour la formation d'un niveau d'injection. Grâce à cette structure, il est possible de mettre en oeuvre un laser à cascade quantique capable de fonctionner efficacement à des températures élevées.
(JA) 半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層17及び注入層18からなる単位積層体16が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体16は、そのサブバンド準位構造において、発光上準位3と、下準位2と、上準位3よりも高エネルギーの注入準位4とを有し、発光層17における準位3から準位2への電子のサブバンド間遷移によって光hνが生成され、発光遷移を経た電子が注入層18を介して後段の注入準位4へと注入されるように構成される。また、発光層17は2個以上の井戸層を含み、最も前段の注入層側の第1井戸層を注入準位形成用の井戸層として構成される。これにより、高温、高効率での動作を実現することが可能な量子カスケードレーザが実現される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)