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1. (WO2009107603) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE, FIBRE DE NANOTUBES DE CARBONE ET SIMILAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107603    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053265
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.12.2009    
CIB :
C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 836 Oya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Yoku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA, Morihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Yoku; (JP).
OKADA, Morihiro; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg. 3-17, Shinjuku 4-chome Shinjuku-ku Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-043304 25.02.2008 JP
Titre (EN) PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING CARBON NANOTUBE, CARBON NANOTUBE FIBER, AND THE LIKE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE, FIBRE DE NANOTUBES DE CARBONE ET SIMILAIRES
(JA) カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブファイバー等の製造方法及び製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A CVD apparatus (10) which includes an electric furnace (12), a reaction vessel pipe (14) and a small vessel substrate (15) which both are disposed in the furnace, and a heater (16) and a thermocouple (18) which are disposed around the periphery of the pipe. One end of the reaction vessel pipe (14) has been connected to a gas supply part (22), and the other has been connected to a pressure control valve (23) and a gas discharge part (24). The part (22), valve (23), and part (24) are controlled by a control part (20). The reaction vessel pipe (14) is evacuated to vacuum by the gas discharge part (24). The inside of the small vessel substrate (15) is heated with the heater (16) to heat and sublimate iron chloride (26) serving as a catalyst. Thereafter, acetylene gas (30) is caused to flow into the small vessel substrate (15) by the gas supply part (22). As a result, the iron chloride undergoes a gas phase reaction with the acetylene gas to form carbon nanotube growth nuclei on a substrate (28) having a silicon oxide layer formed thereon. Thereafter, carbon nanotubes grow while being vertically oriented.
(FR)L'invention porte sur un appareil de CVD (10) qui comprend un four électrique (12), une conduite de cuve de réaction (14) et un petit substrat de cuve (15), qui sont tous deux disposés dans le four, et un dispositif de chauffage (16) et un thermocouple (18) qui sont disposés autour de la périphérie de la conduite. Une extrémité de la conduite de cuve de réaction (14) a été reliée à une partie d'alimentation en gaz (22) et l'autre a été reliée à une soupape de régulation de pression (23) et une partie d'évacuation de gaz (24). La partie (22), la soupape (23) et la partie (24) sont commandées par une partie de commande (20). La conduite de cuve de réaction (14) est mise sous vide par la partie d'évacuation de gaz (24). L'intérieur du petit substrat de cuve (15) est chauffé avec le dispositif de chauffage (16) pour chauffer et sublimer du chlorure de fer (26) servant de catalyseur. Ensuite, de l'acétylène gazeux (30) est amené à s'écouler dans le petit substrat de cuve (15) par la partie d'introduction de gaz (22). En conséquence, le chlorure de fer subit une réaction en phase gazeuse avec l'acétylène gazeux pour former des noyaux de croissance de nanotubes de carbone sur un substrat (28) sur lequel est formée une couche d'oxyde de silicium. Après cela, les nanotubes de carbone croissent tout en étant orientés verticalement.
(JA)CVD装置10は、電気炉12内に反応容器管14および小型容器基板15配置し、その外周にヒータ16、熱電対18を配置する。 反応容器管14の一方には、ガス供給部22が、他方には圧力調整バルブ23及び排気部24が接続されている。これらは、制御部20によって制御され、排気部24により反応容器管14内を真空排気し、ヒータ16により小型容器基板15内を触媒となる塩化鉄26を昇温して昇華させてから、ガス供給部22によりアセチレンガス30を小型容器基板15に流入させる。これにより塩化鉄とアセチレンガスとが気相反応し、酸化ケイ素層を形成し基板28上にカーボンナノチューブ成長核を形成した後カーボンナノチューブが垂直配向して成長する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)