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1. (WO2009107485) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2009/107485 N° de la demande internationale : PCT/JP2009/052261
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 12.02.2009
CIB :
H01L 43/12 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : KODAIRA, Yoshimitsu[JP/JP]; JP (UsOnly)
SAKAMOTO, Kiyotaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAGAI, Motonobu[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAMIYA, Yasushi[JP/JP]; JP (UsOnly)
CANON ANELVA CORPORATION[JP/JP]; 5-1 Kurigi 2-chome, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : KODAIRA, Yoshimitsu; JP
SAKAMOTO, Kiyotaka; JP
NAGAI, Motonobu; JP
KAMIYA, Yasushi; JP
Mandataire : WATANABE, Keisuke; 6th Floor, Mitsui Sumitomo Ginko Okachimachi Bld. 11-4, Taito 4-chome Taito-ku, Tokyo 110-0016, JP
Données relatives à la priorité :
2008-04578827.02.2008JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置
Abrégé : front page image
(EN) In a method for manufacturing a magnetoresistance effect element, damages generated at the time of processing a multilayer magnetic film which configures the magnetoresistance effect element are reduced, and magnetic characteristic deterioration due to such damages is eliminated, and furthermore, the method is suitable for manufacturing the high-quality magnetoresistance effect element without lowering the production efficiency. The method for manufacturing the magnetoresistance effect element includes a step of processing the multilayer magnetic film, which configures the magnetoresistance effect element, by reactive ion etching, on a non-processed element having the multilayer magnetic film. The method also includes a step of applying an ion beam to the multilayer magnetic film to which the reactive ion etching has been performed, after the multilayer magnetic film is processed by the reactive ion etching, and a step of forming a protection film on the multilayer magnetic film on which the ion beam has been applied.
(FR) Dans un procédé de fabrication d'un élément à effet magnétorésistif, les dommages produits au moment du traitement d'un film magnétique multicouche qui configure l'élément à effet magnétorésistif, sont réduits, et une détérioration de la caractéristique magnétique due à de tels dommages est éliminée. En outre, le procédé est adapté à la fabrication d'un élément à effet magnétorésistif de haute qualité sans baisse de rendement de production. Le procédé de fabrication de l'élément à effet magnétorésistif inclut une étape consistant à traiter le film magnétique multicouche, qui configure l'élément à effet magnétorésistif, en utilisant une gravure ionique réactive, sur un élément non traité qui présente le film magnétique multicouche. Le procédé comprend en outre l'étape consistant à appliquer un faisceau d'ions sur le film magnétique multicouche qui a subi la gravure ionique réactive, une fois que le film magnétique multicouche a été traité par gravure ionique réactive, et une étape consistant à former un film de protection sur le film magnétique multicouche sur lequel le faisceau d'ions a été appliqué.
(JA)  磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、なおかつ、生産効率を低下させずに高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。  磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を備えた加工前素子に対して反応性イオンエッチングにより前記多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記反応性イオンエッチングにより前記多層磁性膜を加工した後に、前記反応性イオンエッチングが行われた前記多層磁性膜に対してイオンビームを照射する工程と、前記イオンビームが照射された前記多層磁性膜上に保護膜を形成する工程と、を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)