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1. (WO2009107355) CRISTAL PHOTONIQUE À AUTORÉPLICATION POUR LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107355    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000776
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.12.2009    
CIB :
G02B 1/02 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), G02B 5/30 (2006.01)
Déposants : PHOTONIC LATTICE, INC. [JP/JP]; Aoba Incubation Square, Aramaki-Aza-Aoba, Aoba-ku Sendai-shi, Miyagi 9800845 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Yoshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASHIMA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAKAMI, Shojiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Yoshihiko; (JP).
KAWASHIMA, Takayuki; (JP).
KAWAKAMI, Shojiro; (JP)
Mandataire : HIROSE, Takayuki; c/o Hirose International Patent Firm, The Royal Building 3F, 3-8-7, Irifune, Chuo-ku, Tokyo 104-0042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-042393 25.02.2008 JP
Titre (EN) SELF-CLONING PHOTONIC CRYSTAL FOR ULTRAVIOLET LIGHT
(FR) CRISTAL PHOTONIQUE À AUTORÉPLICATION POUR LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
(JA) 紫外線用自己クローニングフォトニック結晶
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a self-cloning photonic crystal that can be used in an ultraviolet region. The self-cloning photonic crystal can control light in an ultraviolet region and comprises a substrate having a cycle period of not more than 130 nm, a higher-refractive index layer of hafnium oxide, and a lower-refractive index layer of silicon oxide or aluminum oxide. Further, a good wavelength plate can be obtained by designing the higher-refractive index layer and the lower-refractive index layer so that the total of the optical thickness of a single layer of the higher-refractive index layer and the optical thickness of a single layer of the lower-refractive index layer is not more than the wavelength. A polarizer can be obtained by bringing each of the optical thickness of the higher-refractive index layer and the optical thickness of the lower-refractive index layer to a value around a half of the wavelength.
(FR)L'invention porte sur un cristal photonique à autoréplication qui peut être utilisé dans une région de l'ultraviolet. Le cristal photonique à autoréplication peut commander une lumière dans une région de l'ultraviolet et comporte un substrat ayant une période cyclique de moins de 130 nm, une couche d'oxyde d'hafnium à indice de réfraction plus élevé, et une couche d'oxyde de silicium ou d'oxyde d'aluminium à indice de réfraction inférieur. En outre, une bonne plaque de longueur d'onde peut être obtenue par l'agencement de la couche à indice de réfraction plus élevé et de la couche à indice de réfraction inférieur de telle sorte que la totalité de l'épaisseur optique d'une seule couche de la couche à indice de réfraction plus élevé et de l'épaisseur optique d'une seule couche de la couche à indice de réfraction inférieur n'est pas supérieure à la longueur d'onde. Un polariseur peut être obtenu par le fait d'amener chacune de l'épaisseur optique de la couche à indice de réfraction plus élevé et de l'épaisseur optique de la couche à indice de réfraction inférieur à une valeur se situant aux environs de la moitié de la longueur d'onde.
(JA) 【課題】 本発明は,紫外線領域で用いることができる自己クローニングフォトニック結晶を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の周期を130nm以下とし,高屈折率層にハフニウム酸化物を用い,低屈折率層にシリコン酸化物又はアルミニウム酸化物を用いることで,紫外線領域の光を制御できる自己クローニングフォトニック結晶を得ることができる。また,高屈折率層一層の光学厚さと低屈折率層一層の光学厚さの合計が波長以下となるように設計することで良好な波長板を得ることができる。さらに,高屈折率層の光学厚さ及び低屈折率層の光学厚さが,それぞれ波長の半分の近傍となるようにすることで偏光子を得ることができる。 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)