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1. (WO2009107263) DISPOSITIF DE REPRODUCTION DE SIGNAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107263    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065758
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 02.09.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.06.2009    
CIB :
H03F 1/26 (2006.01)
Déposants : Japan Science and Technology Agency [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
KASAI, Seiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KASAI, Seiya; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-050389 29.02.2008 JP
Titre (EN) SIGNAL REPRODUCING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE REPRODUCTION DE SIGNAL
(JA) 信号再生装置
Abrégé : front page image
(EN)A small signal buried in noise can be detected with a simple device structure, and the device can be easily reduced in size especially by using a semiconductor device. This signal reproducing device (1) comprises N FETs (61 to 6N) each having a gate terminal receiving a common input signal (VIN) and a drain terminal to which a bias voltage (VDD) is applied and an adder circuit (4) connected to the source terminals of the FETs (61 to 6N) and combining and outputting the currents flowing between the drain and source terminals of the FETs (61 to 6N). The FETs (61 to 6N) and the bias voltage (VDD) are so set that the voltage at the gate terminals to which the common input signal (VIN) is applied is in the subthreshold region at voltages below the threshold voltage of the FETs (61 to 6N).
(FR)Selon l'invention, un signal faible enfoui dans du bruit peut être détecté avec une structure de dispositif simple, et le dispositif peut être facilement réduit en dimensions, notamment à l'aide d'un dispositif à semi-conducteurs. Ce dispositif de reproduction de signal (1) comprend N transistors à effet de champ (FET) (61 à 6N) ayant chacun une borne de grille recevant un signal d'entrée commun (VIN) et une borne de drain auquel une tension de polarisation (VDD) est appliquée et un circuit additionneur (4) connecté aux bornes de source des FET (61 à 6N) et combinant et émettant les courants circulant entre les bornes de drain et de source des FET (61 à 6N). Les FET (61 à 6N) et la tension de polarisation (VDD) sont réglés de telle sorte que la tension aux bornes de grille auxquelles le signal d'entrée commun (VIN) est appliqué se trouvent dans la région de sous-seuil à des tensions au-dessous de la tension de seuil des FET (61 à 6N).
(JA) 簡易な装置構成で雑音に埋もれた微小電気信号の検出を実現し、特に半導体装置を利用することにより装置を容易に小面積化することを課題とする。この信号再生装置1は、共通の入力信号VINをゲート端子に受け、ドレイン端子にバイアス電圧VDDが印加されるN個のFET6~6と、FET6~6のソース端子に接続されて、FET6~6のドレイン端子とソース端子との間の電流を合成して出力する加算回路4とを備え、FET6~6、及びバイアス電圧VDDは、共通の入力信号VINが印加されたゲート端子の電圧が、FET6~6の閾値電圧よりも小さいサブスレショルド領域となるように設定される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)