WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009107188) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE SiC MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107188    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/053185
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2008
CIB :
C30B 29/36 (2006.01)
Déposants : RESEARCH INSTITUTE OF INNOVATIVE TECHNOLOGY FOR THE EARTH [JP/JP]; 9-2, KIZUGAWADAI, KIZUGAWA-SHI, Kyoto, 6190292 (JP) (Tous Sauf US).
ECOTRON CO., LTD. [JP/JP]; 47, UMEZU TAKASE-CHO, UKYO-KU, Kyoto, 6158686 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAMI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAMI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAMADA, Shinkichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIKAWA, Kimito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Nobuhiko; (JP).
MATSUNAMI, Toru; (JP).
KAWAMI, Hiroshi; (JP).
HAMADA, Shinkichi; (JP).
NISHIKAWA, Kimito; (JP)
Mandataire : JODAI, Tetsuji; 601 Newlife Koraibashi, 3-32, Higashikoraibashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0039 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL SiC
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE SiC MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶SiCの成長方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for growing a single crystal SiC, comprising conducting heat treatment, in such a state that an Si melt layer having a predetermined thickness is interposed between a single crystal SiC substrate and a carbon atom supply substrate, to epitaxially grow single crystal SiC on the single crystal SiC substrate. The process comprises, in the following sequence, a degassing/dehydrating step for removing gas/water within a reaction system, a first temperature raising step of raising the temperature to a predetermined temperature around an Si melting point not above the Si melting point at a predetermined temperature rise rate suitable for maintaining soaking within the in-plane temperature of the single crystal SiC substrate, a second temperature rise step of raising the temperature to a temperature at or above the Si melting point, an Si melting step of forming an Si melt at a temperature at or above the Si melting point, and an SiC growing step of epitaxially growing the single crystal SiC on the single crystal SiC substrate at an epitaxial growth temperature.
(FR)Cette invention porte sur un procédé de croissance d'un SiC monocristallin, comprenant la conduite d'un traitement thermique, dans un état tel qu'une couche de masse fondue de Si ayant une épaisseur prédéterminée est interposée entre un substrat de SiC monocristallin et un substrat de fourniture d'atomes de carbone, pour réaliser une croissance épitaxiale de SiC monocristallin sur le substrat de SiC monocristallin. Le procédé comprend les opérations successives consistant en une étape de dégazage/déshydratation pour retirer le gaz/l'eau à l'intérieur d'un système réactionnel, une première étape de montée en température consistant à élever la température à une température prédéterminée autour d'un point de fusion de Si non supérieur au point de fusion de Si à une vitesse de montée en température prédéterminée appropriée pour maintenir un trempage à l'intérieur de la température dans le plan du substrat de SiC monocristallin, une seconde étape de montée en température consistant à élever la température à une température à ou au-dessus du point de fusion de Si, une étape de fusion de Si consistant à former une masse fondue de Si à une température à ou au-dessus du point de fusion de Si, et une étape de croissance de SiC consistant à réaliser une croissance épitaxiale du SiC monocristallin sur le substrat de SiC monocristallin à une température de croissance épitaxiale.
(JA) 単結晶SiC基板と炭素原子供給基板との間に所定の厚さのSi融液層を介在させた状態で熱処理を行うことによって、単結晶SiC基板上に単結晶SiCをエピタキシャル成長させる単結晶SiCの成長方法であって、反応系内のガス/水分を除去する脱ガス/脱水工程、単結晶SiC基板の面内温度の均熱を保つ所定の昇温速度で、Si融点を超えないSi融点近傍の所定の温度まで昇温を行う第1の昇温工程、Si融点以上の温度まで昇温する第2の昇温工程、Siの融点以上の温度でSi融液を形成させるSi融解工程、エピタキシャル成長温度で単結晶SiC基板上に単結晶SiCをエピタキシャル成長させるSiC成長工程の順に行われる単結晶SiCの成長方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)