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1. (WO2009107031) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107031    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050641
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 17.02.2009
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
CURATOLA, Gilberto [IT/BE]; (GB) (US Seulement).
AGARWAL, Prabhat [DE/BE]; (NL) (US Seulement).
VAN DAL, Mark, J., H. [NL/BE]; (GB) (US Seulement).
MADAKASIRA, Vijayaraghavan [IN/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CURATOLA, Gilberto; (GB).
AGARWAL, Prabhat; (NL).
VAN DAL, Mark, J., H.; (GB).
MADAKASIRA, Vijayaraghavan; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Betchworth House 57-65 Station Road, Redhill Surrey RH1 1DL, (GB)
Données relatives à la priorité :
08102004.2 26.02.2008 EP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device is disclosed comprising providing an insulating carrier (10) such as an oxide wafer; providing a channel structure (20) between a source structure (12) and a drain structure (14) on said carrier (10); selectively removing a part of the channel structure (20), thereby forming a recess (22) between the channel structure (20) and the carrier (10); exposing the device to an annealing step such that the channel structure (20') obtains a substantially cylindrical shape; forming a confinement layer (40) surrounding the substantially cylindrical channel structure (20'); growing an oxide layer (50) surrounding the confinement layer (40); and forming a gate structure (60) surrounding the oxide layer (50). The substantially cylindrical channel structure 20' may comprise the semiconductor layer 30. A corresponding semiconductor device is also disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur consistant à appliquer un porteur isolant (10) comme une plaquette d'oxyde ; à ajouter une structure de canal (20) entre une structure de source (12) et une structure de drain (14) sur ledit porteur (10) ; à retirer de façon sélective une partie de la structure de canal (20), formant ainsi un évidement (22) entre la structure de canal (20) et le porteur (10) ; à exposer le dispositif à une étape de recuisson de sorte que la structure de canal (20') obtienne une forme sensiblement cylindrique ; à former une couche de confinement (40) entourant la structure de canal sensiblement cylindrique (20') ; à faire croître une couche d'oxyde (50) entourant la couche de confinement (40) ; et à former une structure de gâchette (60) entourant la couche d'oxyde. La structure de canal sensiblement cylindrique 20' peut comprendre la couche semi-conductrice 30. ;L'invention concerne aussi un dispositif semi-conducteur correspondant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)