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1. (WO2009106915) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION OU DE RÉDUCTION DE LA QUANTITÉ DE DÉFAUTS CRISTALLINS DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'UNE STRUCTURE COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106915    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/001891
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2008
CIB :
H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
KONONCHUK, Oleg [US/FR]; (FR) (US Seulement).
BOURDELLE, Konstantin [RU/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : KONONCHUK, Oleg; (FR).
BOURDELLE, Konstantin; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR REDUCING THE AMOUNT OR ELIMINATING THE CRYSTALLINE DEFECTS, IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A COMPOSITE STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION OU DE RÉDUCTION DE LA QUANTITÉ DE DÉFAUTS CRISTALLINS DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'UNE STRUCTURE COMPOSITE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for reducing the amount or eliminating the crystalline defects in a semiconductor layer of a composite structure, said composite structure comprising said semiconductor layer bonded to a handle substrate, the method comprising providing a handle substrate, providing said semiconductor layer, bonding said handle substrate to the said semiconductor layer, in order to obtain a bonded composite structure, the method being characterized in that the semiconductor layer is selected to have a thickness greater than a threshold value which is representative of the size of the crystalline defects, and further comprises a heat treatment of said bonded composite structure with a high temperature and a duration selected for reducing the amount or eliminating the crystalline defects.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé d'élimination ou de réduction de la quantité de défauts cristallins dans une couche semi-conductrice d'une structure composite, ladite structure composite comprenant ladite couche semi-conductrice liée à un substrat de traitement, le procédé comprenant les étapes consistant à fournir un substrat de traitement, à fournir ladite couche semi-conductrice, à lier ledit substrat de traitement à ladite couche semi-conductrice, de manière à obtenir une structure composite liée, le procédé étant caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est sélectionnée de manière à présenter une épaisseur supérieure à une valeur seuil qui est représentative de la dimension des défauts cristallins, et comprend en outre un traitement thermique de ladite structure composite liée, à une température élevée et avec une durée sélectionnée, de manière à éliminer ou à réduire la quantité de défauts cristallins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)