WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009106903) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ET DISPOSITIFS À ÉLÉMENTS DE TAILLE NANOMÉTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106903    N° de la demande internationale :    PCT/GE2009/000001
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
CIB :
G03F 7/00 (2006.01)
Déposants : KHOPERIA, Teimuraz [GE/GE]; (GE).
KHOPERIA, Nikoloz [GE/GE]; (GE)
Inventeurs : KHOPERIA, Teimuraz; (GE).
KHOPERIA, Nikoloz; (GE)
Mandataire : GVARAMADZE, Shalva; Apt. 36, 13a Tamarashvili Street, Tbilisi, 0194 (GE)
Données relatives à la priorité :
AP 2008 010533 25.02.2008 GE
Titre (EN) A PHOTOMASK AND DEVICES WITH NANO-SIZED ELEMENTS
(FR) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE ET DISPOSITIFS À ÉLÉMENTS DE TAILLE NANOMÉTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention simplifies and makes cheaper the technology of fabrication of photomasks with nano-sized elements; nanodevices; nanowires; nanochips; microelectrodes for local micro- and nano-electrodeposition and etching techniques; press molds with nano-sized pillars for nanoimprint lithography (NIL); quartz masks for laser-assisted direct imprint (LADI) of nanostructures in silicon; tips of nanowidth for various applications, etc. Besides, application of expensive and complex equipment is eliminated, the product yield, the precision of elements alignment, the resolution, and the wear resistance are increased. For application of the method, the elements of the first group are fabricated by conventional optical photolithography after deposition of the first masking film of valve semitransparent (transparent in the visible light and non-transparent for UV exposing radiation of the spectrum) materials on a transparent substrate (in the case of fabrication of photomasks). The upper and lateral boundaries of these elements are modified (e.g. oxidized) in the nanodepth equal to the lateral dimensions of the transparent sections of the photomask. Then the second masking film is deposited. The unnecessary upper layer of the second deposited masking film is removed. The modified sections of the first-group masking elements are removed selectively. Thus the first- and second-group of masking elements and nano-sized transparent elements between them are fabricated. As a result of high- productive group method of single conventional optical photolithography, by means of modification of the element boundaries and their subsequent etching, the sizes of masking elements and transparent sections are changed. This allows us to fabricate the photomask and devices with nano-sized elements by using a standard photomask with the size of elements more than a micron.
(FR)La présente invention permet la simplification et la réduction de coût de la fabrication de masques photographiques avec des éléments de taille nanométrique, des nano-dispositifs, de nano-fils, des nano-puces, des microélectrodes pour des techniques de micro- et de nano-déposition et de gravure locales; de matrices de presse avec des piliers de taille nanométrique pour la lithographie par nano-impression; des masques de quartz pour l'impression directe assistée par laser de nanostructures en silicium; des pointes de largeur nanométrique pour diverses applications. En outre, l'invention permet d'éliminer l'utilisation d'équipement coûteux et complexe, l'accroissement de rendement de production, de la précision d'alignement d'éléments, de la résolution, et de la résistance à l'usure. Pour la mise en œuvre du procédé, les éléments du premier groupe sont fabriqués par la photolithographie optique classique après le dépôt du premier film de masquage de matériaux semi-transparents de soupape (transparents dans la lumière visible et non-transparents pour le rayonnement d'exposition UV du spectre) sur un substrat transparent (s'agissant de fabrication de masques photographiques). Les limites supérieure et inférieure de ces éléments sont modifiées (par exemple, oxydées) dans la profondeur nanométrique égale aux dimensions latérales des sections transparentes du masque photographique. Ensuite, on effectue le dépôt du second film de masquage. On élimine la couche supérieure dispensable du second film de masquage. On effectue une élimination sélective des sections modifiées des éléments de masquage du premier groupe. Ainsi les éléments de masquage des premier et second groupes et les éléments semi-transparents entre eux sont réalisés. Grâce à ce procédé en groupes très productif de photolithographie optique unique, par la modification des limites des éléments et leur gravure ultérieure, les tailles des éléments de masquage et des sections transparentes sont modifiées. Cela permet la fabrication du masque photographique et des dispositifs avec des éléments de taille nanométrique au moyen d'un masque photographique standard avec une dimension d'éléments supérieur à un micron.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)