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1. (WO2009106810) AGENTS DE COIFFAGE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106810    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/000510
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 24.02.2009
CIB :
C08G 65/332 (2006.01), C08K 9/04 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), C07C 59/125 (2006.01)
Déposants : NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED [GB/GB]; 46 Grafton Street, Manchester M13 9NT (GB) (Tous Sauf US).
PICKETT, Nigel [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MCCAIRN, Mark, Christopher [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DANIELS, Steven [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CUMMINS, Siobhan [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : PICKETT, Nigel; (GB).
MCCAIRN, Mark, Christopher; (GB).
DANIELS, Steven; (GB).
CUMMINS, Siobhan; (GB)
Mandataire : DAUNCEY, Mark, Peter; Marks & Clerk, Sussex House, 83-85 Mosley Street, Manchester M2 3LG (GB)
Données relatives à la priorité :
61/031,218 25.02.2008 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE CAPPING AGENTS
(FR) AGENTS DE COIFFAGE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor nanoparticle capping ligands, their production and use. An aspect of the present invention provides a ligand having the formula (I) : wherein m ranges from approximately 8 to approximately 45. A further aspect provides a method of forming a compound of the formula (II), the method comprising the steps of providing a first starting material comprising poly(ethyleneglycol) and reacting the first starting material with a second starting material comprising a functional group for chelating to the surface of a nanoparticle.
(FR)L'invention concerne des ligands de coiffage de nanoparticules semi-conductrices, leur production et leur utilisation. Selon un aspect, l'invention concerne un ligand représenté par la formule (I) dans laquelle m est compris entre environ 8 et environ 45. Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de formation d'un composé représenté par la formule (II), ledit procédé comprenant les étapes qui consistent à utiliser un premier matériau de départ renfermant un polyéthylèneglycol et à faire réagir le premier matériau de départ avec un second matériau de départ comprenant un groupe fonctionnel pour chélation sur la surface d'une nanoparticule.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)