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1. (WO2009106680) SURFACE D'UTILISATION ÉTENDUE POUR UN DISPOSITIF MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106680    N° de la demande internationale :    PCT/FI2009/050083
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 30.01.2009
CIB :
G06F 12/00 (2006.01), G06F 9/50 (2006.01), G11C 7/20 (2006.01)
Déposants : NOKIA CORPORATION [FI/FI]; Keilalahdentie 4 FI-02150 Espoo (FI) (Tous Sauf US).
HYVÖNEN, Jani [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
MYLLY, Kimmo [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
HÄKKINEN, Jussi [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
GYL, Yevgen [UA/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : HYVÖNEN, Jani; (FI).
MYLLY, Kimmo; (FI).
HÄKKINEN, Jussi; (FI).
GYL, Yevgen; (FI)
Mandataire : NOKIA CORPORATION; IPR Department Virpi Tognetty Keilalahdentie 4 FI-02150 Espoo (FI)
Données relatives à la priorité :
12/039,672 28.02.2008 US
Titre (EN) EXTENDED UTILIZATION AREA FOR A MEMORY DEVICE
(FR) SURFACE D'UTILISATION ÉTENDUE POUR UN DISPOSITIF MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Methods, systemsand devices for configuring access to a memory device are disclosed. The configuration of the memory device may be carried outby creating a plurality of access profiles that are adapted to optimize access to the memory device in accordance with the type of access.Accordingly, when an application with specific memoryaccess needsis initiated, the memory access profile that is most optimized for that particular access need isutilized to configure access to the memory device. The configuration may be effected for a portion of the memorydevice, a partition of the memorydevice, or even one single access location on the memory device.
(FR)L'invention porte sur des procédés, des systèmes et des dispositifs pour configurer un accès à un dispositif mémoire. La configuration du dispositif mémoire peut être réalisée par la création d'une pluralité de profils d'accès qui sont aptes à optimiser un accès au dispositif mémoire, conformément au type d'accès. En conséquence, lorsqu'une application avec des besoins d'accès mémoire spécifiques est initiée, le profil d'accès mémoire qui est le plus optimisé pour ce besoin d'accès particulier est utilisé pour configurer un accès au dispositif mémoire. La configuration peut être effectuée pour une partie du dispositif mémoire, une partition du dispositif mémoire, ou même un emplacement d'accès unique sur le dispositif mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)