WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009106636) NANOSTRUCTURES À BANDE INTERDITE LARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106636    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/052417
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2009
CIB :
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/28 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Déposants : DUBLIN CITY UNIVERSITY [IE/IE]; Collins Avenue Glasnevin Dublin , 9 (IE) (Tous Sauf US).
MCGLYNN, Enda [IE/IE]; (IE) (US Seulement).
THANGAVELU, Rajendra Kumar Ramasamy [IN/IN]; (IN) (US Seulement)
Inventeurs : MCGLYNN, Enda; (IE).
THANGAVELU, Rajendra Kumar Ramasamy; (IN)
Mandataire : O'NEILL, Aoife; (IE).
LANE, Cathal Michael; (IE).
GATES, Marie Christina Esther; (IE).
CATESBY, Olivia Joanne; (IE).
DUNNE, Sinead; (IE).
REEDY, Orlaith; (IE).
SHORTT, Peter Bernard; (IE).
WALSH, Michael Joseph; (IE).
PARKES, Andrew John Aykroyd; (IE)
Données relatives à la priorité :
0803709.5 29.02.2008 GB
Titre (EN) WIDE BAND-GAP NANOSTRUCTURES
(FR) NANOSTRUCTURES À BANDE INTERDITE LARGE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting or detecting device (41) with a substrate (44) with a surface, an array of elongate nanostructures (42) having a first end supported by the substrate (44), and a second free end projecting away from the surface; a thin insulating layer (45) formed on the surface and about the nanostructures, the insulating layer being arranged so that a substantial portion (47) of the nanostructures (42) extend through the insulating layer (45). The device allows for greater contact between the nanostructures (42) and a p-type layer (46) above the insulator and surrounding the nanostructures improving the efficiency of the device. One suitable material is ZnO.
(FR)L'invention porte sur un dispositif émettant ou détectant de la lumière (41). Le dispositif comporte un substrat (44) muni d’une surface, d’un réseau de nanostructures allongées (42) dont une première extrémité est supportée par le substrat (44) et dont une seconde extrémité libre se projette à l'opposé de la surface; une couche isolante mince (45) formée sur la surface et autour des nanostructures et agencée de telle sorte qu'une partie substantielle (47) des nanostructures (42) s'étend à travers la couche isolante (45). Le dispositif permet un contact plus important entre les nanostructures (42) et une couche de type p (46) au-dessus de l'isolant et entourant les nanostructures, améliorant le rendement du dispositif. Le ZnO est un matériau approprié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)