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1. (WO2009106533) DISPOSITIF CAPTEUR DOTÉ D’UNE SENSIBILITÉ ACCRUE AUX VARIATIONS THERMIQUES DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106533    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/052204
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
CIB :
G01J 5/24 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES INC. [US/US]; One Technology Way, Norwood, Massachusetts 02062-9106 (US) (Tous Sauf US).
PILLANS, Luke, Alexander [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : PILLANS, Luke, Alexander; (GB)
Mandataire : KEANE, Paul; Hanna Moore & Curley, 13 Lower Lad Lane, Dublin D2 (IE)
Données relatives à la priorité :
12/072,526 27.02.2008 US
Titre (EN) A SENSOR DEVICE WITH IMPROVED SENSITIVITY TO TEMPERATURE VARIATION IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR DOTÉ D’UNE SENSIBILITÉ ACCRUE AUX VARIATIONS THERMIQUES DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A sensor device formed on a semiconductor substrate. The device comprises a thermal radiation sensor including a sensing cell and a referencing cell which are co-operable for providing a first output signal indicative of the temperature fluctuation resulting from incident radiation. A gradient sensor including a pair of cells spatially located on the semiconductor substrate is provided which are co-operable to provide a second output signal indicative of the temperature gradient across the semiconductor substrate for facilitating calibrating the first output signal. At least one of the cells of the gradient sensor is not common to the cells of the thermal radiation sensor.
(FR)La présente invention concerne un dispositif capteur formé sur un substrat semi-conducteur. Le dispositif comprend un capteur de rayonnement thermique comprenant une cellule de détection et une cellule de référence qui peuvent être utilisées conjointement pour fournir un premier signal de sortie indiquant la fluctuation thermique résultant du rayonnement incident. Un capteur de gradient comprend une paire de cellules situées spatialement sur le substrat semi-conducteur et pouvant être utilisées conjointement pour fournir un second signal de sortie indiquant le gradient thermique dans le substrat semi-conducteur pour faciliter l’étalonnage du premier signal de sortie. Au moins une des cellules du capteur de gradient est différente des cellules du capteur de rayonnement thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)