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1. (WO2009106433) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE À TENEUR EN TITANE SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE DÉPOSITION EN COUCHES ATOMIQUES (ALD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106433    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/051683
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 13.02.2009
CIB :
C07F 17/00 (2006.01), C23C 12/00 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 quai d'Orsay F-75007 Paris (FR) (Tous Sauf US).
GATINEAU, Satoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
DUSSARRAT, Christian [FR/US]; (US) (US Seulement).
LACHAUD, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BLASCO, Nicolas [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PINCHART, Audrey [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
WANG, Ziyun [CN/US]; (US) (US Seulement).
GIRARD, Jean-marc [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ZAUNER, Andreas [NL/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GATINEAU, Satoko; (JP).
DUSSARRAT, Christian; (US).
LACHAUD, Christophe; (FR).
BLASCO, Nicolas; (FR).
PINCHART, Audrey; (FR).
WANG, Ziyun; (US).
GIRARD, Jean-marc; (FR).
ZAUNER, Andreas; (FR)
Mandataire : CONAN, Philippe; L'Air Liquide SA Département Propriété Intellectuelle 75 quai d'Orsay F-75321 Paris Cedex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
08305035.1 27.02.2008 EP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A TITANIUM-CONTAINING LAYER ON A SUBSTRATE USING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE À TENEUR EN TITANE SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE DÉPOSITION EN COUCHES ATOMIQUES (ALD)
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a titanium-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Ti(Me5Cp)(OR)3 (I), wherein R is selected in the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl; or of the formula Ti(R1Cp)(OR2)3 (II), wherein R1 is selected from the group consisting in H, methyl, ethyl, isopropyl and R2 is independently selected from the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl or tert- butyl; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) or (II) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une couche à teneur en titane sur un substrat. Le procédé comprend au moins les étapes consistant à : a) prendre une vapeur comprenant au moins un composé précurseur de la formule Ti(Me5Cp)(OR)3 (I), dans laquelle R est choisi dans le groupe constitué par méthyle, éthyle, isopropyle; ou de la formule Ti(R1Cp)(OR2)3 (II), dans laquelle R1 est choisi dans le groupe constitué par H, méthyle, éthyle, isopropyle et R2 est choisi indépendamment dans le groupe constitué par méthyle, éthyle, isopropyle ou tert-butyle; b) faire réagir la vapeur comprenant le ou les composés de formule (I) ou (II) avec le substrat, conformément à un procédé de dépôt de couche atomique, afin de former une couche d'un complexe à teneur en tantale sur au moins une surface dudit substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)