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1. (WO2009106403) FRONTAL POUR DES INSTALLATIONS ÉMETTRICES-RÉCEPTRICES RF À COMMANDE DE SENS IMPLICITE ET MULTIPLEXAGE TEMPOREL EN TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106403    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/051095
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 30.01.2009
CIB :
H04B 1/48 (2006.01)
Déposants : SENSORDYNAMICS AG [AT/AT]; Schloss Eybesfeld 1e, A-8403 Graz-Lebring (AT) (Tous Sauf US).
AKBARI, Rahim [GB/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : AKBARI, Rahim; (AT)
Mandataire : BERGMEIER, Werner; Friedrich-Ebert-Strasse 84, 85055 Ingolstadt (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 000 473.1 29.02.2008 DE
Titre (DE) FRONT-END FÜR RF-SENDE-EMPFANGSANLAGEN MIT IMPLIZIERTER RICHTUNGS-STEUERUNG UND ZEITMULTIPLEX-VERFAHREN IN SUBMIKRON-TECHNOLOGIE
(EN) FRONT END FOR RF TRANSMITTING-RECEIVING SYSTEMS WITH IMPLICIT DIRECTIONAL CONTROL AND TIME-MULTIPLEXING METHOD IN SUBMICRON TECHNOLOGY
(FR) FRONTAL POUR DES INSTALLATIONS ÉMETTRICES-RÉCEPTRICES RF À COMMANDE DE SENS IMPLICITE ET MULTIPLEXAGE TEMPOREL EN TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Front-End für RF-Sende-Empfangsanlagen mit Zeitmultiplex-Verfahren und Implizierter Richtungs-Steuerung in Submikron-Technologie. Vorgeschlagen wird ein neuer Entwurf eines RF-Sende- und Empfangs-Front-Ends. Die Ausgangsstufe des Leistungsverstärkers (Power Amplifier PA) der Sende-Empfangsanlage weist einen Kaskode-Schaltkreis aus n-Kanal CMOS Transistoren in Open-Drain-Konfiguration auf. Der Kaskode-Transistor arbeitet in Gate-Schaltung. Zusätzlich wird das Gatepotential gesteuert um den Sendepfad zu sperren. Die Eingangsstufe des rauscharmen Verstärker (Low Noise Amplifier LNA) in Gateschaltung eines p-Kanal MOS-Transistors wird über eine Spannung am Bulkanschluss gesteuert. Wird diese Spannung am PMOS-transistor auf Pegel oberhalb des Source-Potentiales gesetzt, wird der Empfangspfad abgeschaltet. Diese Schaltung erlaubt Kostenreduktionen für Zeitmultiplex-Sende-Empfänger insbesondere für Bluetooth Anwendungen. Die Zahl externer Bauteile ist minimiert. Zusätzliche TX/RX-Schalter sind nicht erforderlich. Die Schaltung nutzt denselben Anschluss oder dasselbe Anschlusspaar für nur eine Antenne, die zugleich Sende- und Empfangsantenne ist und dieselben Abstimmelemente für beide Übertragungsrichtungen.
(EN)Front end for RF transmitting-receiving systems with time-multiplexing method and implicit directional control in submicron technology. What is proposed is a novel design of an RF transmitting and receiving front end. The initial stage of the power amplifier (Power Amplifier PA) of the transmitting-receiving system comprises a cascode circuit made up of n-channel CMOS transistors in open-drain configuration. The cascode transistor operates in gate circuit mode. In addition, the gate potential is controlled in order to block the transmission path. The input stage of the low-noise amplifier (Low Noise Amplifier LNA) in gate circuit mode of a p-channel MOS transistor is controlled by way of a voltage at the bulk connection. If this voltage at the PMOS transistor is set to a level above the source potential, the receiving path is turned off. This circuit allows cost reductions for time-multiplexed transmission-receiving, in particular for Bluetooth applications. The number of external components is minimized. In addition, TX/RX switches are not required. The circuit uses the same connection or the same pair of connections for only one antenna, which is both a transmitting and a receiving antenna, and the same tuning elements for both transfer directions.
(FR)L'invention concerne un nouveau frontal émetteur et récepteur RF. L'étage de sortie de l'amplificateur de puissance (PA) de l'installation émettrice-réceptrice présente un circuit cascode constitué de transistors CMOS à canal n en configuration drain ouvert. Le transistor cascode fonctionne en montage grille. En outre, le potentiel de grille est commandé de manière à ce que le chemin d'émission soit bloqué. L'étage d'entrée de l'amplificateur à faible bruit (LNA) en montage grille d'un transistor MOS à canal p est commandé par le biais d'une tension sur la connexion de substrat. Si cette tension sur le transistor PMOS prend des niveaux supérieurs au potentiel de source, le chemin de réception est coupé. Ce circuit permet des réductions de coût pour des émetteurs-récepteurs à multiplexage temporel, en particulier pour des applications Bluetooth. Le nombre de composants externes est réduit au minimum. En outre, des commutateurs TX/RX supplémentaires deviennent inutiles. Le circuit utilise la même connexion ou la même paire de connexions pour une seule antenne fonctionnant à la fois comme antenne émettrice et comme antenne réceptrice, ainsi que les mêmes éléments de syntonisation pour les deux sens de transmission.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)