WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009106070) CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE AVEC JONCTION À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106070    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/000282
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
STRASSBURG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÖPPEL, Lutz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SABATHIL, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STRASSBURG, Martin; (DE).
HÖPPEL, Lutz; (DE).
SABATHIL, Matthias; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102008011849.4 29.02.2008 DE
102008028036.4 12.06.2008 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY WITH A TUNNEL JUNCTION AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE AVEC JONCTION À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angegeben, die einen Tunnelübergang (2) und eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (4) aufweist. Der Tunnelübergang weist eine Zwischenschicht (23) zwischen einer n-Typ-Tunnelübergangsschicht (21) und einer p-Typ-Tunnelübergangsschicht (22) auf. Bei einer Ausführungsform weist die Zwischenschicht eine der n-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte n-Barriereschicht (231), eine der p-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte p-Barriereschicht (233) und eine Mittelschicht (232) auf. Die Materialzusammensetzung der Mittelschicht unterscheidet sich von der Materialzusammensetzung der n-Barriereschicht und der p-Barriereschicht. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Zwischenschicht (23) alternativ oder zusätzlich gezielt mit Störstellen (6) versehen. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.
(EN)The invention specifies an optoelectronic semiconductor body having an epitaxial semiconductor layer sequence which has a tunnel junction (2) and an active layer (4) which is intended to emit electromagnetic radiation. The tunnel junction has an intermediate layer (23) between an n-type tunnel junction layer (21) and a p-type tunnel junction layer (22). In one embodiment, the intermediate layer has an n-type barrier layer (231) facing the n-type tunnel junction layer, a p-type barrier layer (233) facing the p-type tunnel junction layer and a middle layer (232). The material composition of the middle layer differs from the material composition of the n-type barrier layer and the p-type barrier layer. In another embodiment, the intermediate layer (23) is alternatively or additionally deliberately provided with defects (6). A method for producing such an optoelectronic semiconductor body is also specified.
(FR)L’invention concerne un corps semi-conducteur optoélectronique avec une suite de couches semi-conductrices épitaxiales qui comportent une jonction à effet tunnel (2) et une couche active (4) conçue pour émettre un rayonnement électromagnétique. La jonction à effet tunnel comporte une couche intermédiaire (23) disposée entre une couche de jonction à effet tunnel de type n (21) et une couche de jonction à effet tunnel de type p (22). Dans un mode de réalisation, la couche intermédiaire comporte une couche barrière n (231) orientée vers la couche de jonction à effet tunnel de type n, une couche barrière p (233) orientée vers la couche de jonction à effet tunnel de type p et une couche centrale (232). La composition matérielle de la couche centrale se différencie de la composition matérielle de la couche barrière n et de la couche barrière p. Dans un autre mode de réalisation, la couche intermédiaire (23) est pourvue, en variante ou de manière précisément ciblée, d’imperfections (6). Par ailleurs, l’invention concerne un procédé pour fabriquer un tel corps semi-conducteur optoélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)