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1. (WO2009094507) CIRCUIT INTÉGRÉ À AUTORÉPARATION ET PROCÉDÉ DE RÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/094507    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/031780
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 23.01.2009
CIB :
H01L 21/337 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; International Business Machines Corporation, New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
JOSHI, Rajiv V. [US/US]; (US) (US Seulement).
HSU, Loius Lu-Chen [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Ping-Chuan [CN/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Zhijian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOSHI, Rajiv V.; (US).
HSU, Loius Lu-Chen; (US).
WANG, Ping-Chuan; (US).
YANG, Zhijian; (US)
Mandataire : BITETTO, James, J.; Keusey, Tutunjian & Bitetto, P.C., 20 Crossways Park North, Suite 210, Woodbury, NY 11797 (US)
Données relatives à la priorité :
12/019,240 24.01.2008 US
Titre (EN) SELF-REPAIR INTEGRATED CIRCUIT AND REPAIR METHOD
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ À AUTORÉPARATION ET PROCÉDÉ DE RÉPARATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for repairing degraded field effect transistors includes forward biasing PN junctions of one of a source and a drain of a field effect transistor (FET), and a body of the FET. Charge is injected from a substrate to a gate region to neutralize charge in the gate region. The method is applicable to CMOS devices. Repair circuits are disclosed for implementing the repairs.
(FR)L'invention concerne un procédé de réparation de transistors à effet de champ dégradés incluant la polarisation directe de jonctions PN d'une source ou d'un drain d'un transistor à effet de champ (FET), et d'un corps de FET. Une charge est injectée à partir d'un substrat dans une région de grille pour neutraliser la charge dans la région de grille. Le procédé peut s'appliquer aux dispositifs CMOS. L'invention concerne également des circuits de réparation pour mettre en œuvre les réparations.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)