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1. (WO2009094276) CANAUX DE DÉGAZAGE VERTICAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/094276    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030997
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 14.01.2009
CIB :
H01L 21/76 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
LIANG, Di [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIANG, Di; (US)
Mandataire : ORLER, Anthony, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/020,920 14.01.2008 US
Titre (EN) VERTICAL OUTGASSING CHANNELS
(FR) CANAUX DE DÉGAZAGE VERTICAUX
Abrégé : front page image
(EN)InP epitaxial material is directly bonded onto a Silicon-On-Insulator (SOI) wafer having Vertical Outgassing Channels (VOCs) between the bonding surface and the insulator (buried oxide, or BOX) layer. H2O and other molecules near the bonding surface migrate to the closest VOC and are quenched in the buried oxide (BOX) layer quickly by combining with bridging oxygen ions and forming pairs of stable nonbridging hydroxyl groups (Si-OH). Various sizes and spacings of channels are envisioned for various devices.
(FR)L'invention porte sur un matériau épitaxial de phosphure d'indium (InP), qui est directement collé sur une tranche de silicium sur isolant (SOI) ayant des canaux de dégazage verticaux (VOC) entre la surface de collage et la couche d'isolant (oxyde enterré ou BOX). H2O et d'autres molécules proches de la surface de collage migrent vers le VOC le plus proche et sont refroidis brusquement et rapidement dans la couche d'oxyde enterré (BOX) en se combinant à des ions oxygène de pontage et en formant des paires de groupes hydroxyle non pontant stables (Si-OH). Diverses tailles et espacements de canaux sont envisagés pour divers dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)