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1. (WO2009094259) COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION ET D’UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/094259    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030806
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 13.01.2009
CIB :
C07F 15/00 (2006.01), C07F 19/00 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : PRAXAIR TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810 (US) (Tous Sauf US).
THOMPSON, David, M. [CA/US]; (US) (US Seulement).
GEARY, Joan [US/US]; (US) (US Seulement).
LAVOIE, Adrien, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
DOMINGUEZ, Juan, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THOMPSON, David, M.; (US).
GEARY, Joan; (US).
LAVOIE, Adrien, R.; (US).
DOMINGUEZ, Juan, E.; (US)
Mandataire : SCHWARTZ, Iurie, A.; Praxair, Inc., 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
61/023,125 24.01.2008 US
Titre (EN) ORGANOMETALLIC COMPOUNDS PROCESSES AND METHODS OF USE
(FR) COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION ET D’UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to organometallic compounds having the formula L1ML2 wherein M is a metal or metalloid, L1 is a substituted or unsubstituted 6 electron donor anionic ligand, and L2 is a substituted or unsubstituted 6 electron donor anionic ligand, wherein L1 and L2 are the same or different, a process for producing the organometallic compounds, and a method for producing a film or coating from the organometallic compounds. The organometallic compounds are useful in semiconductor applications as chemical vapor or atomic layer deposition precursors for film depositions.
(FR)La présente invention concerne des composés organométalliques répondant à la formule L1ML2, dans laquelle M est un métal ou métalloïde, L1 est un ligand anionique donneur de 6 électrons, substitué ou non substitué, et L2 est un ligand anionique donneur de 6 électrons, substitué ou non substitué, L1 et L2 étant identiques ou différents. La présente invention concerne également un procédé pour produire les composés organométalliques; et un procédé pour produire un film ou un revêtement à partir des composés organométalliques. Les composés organométalliques sont utiles dans des applications de semi-conducteur en tant que précurseurs pour le dépôt chimique en phase vapeur ou de couches atomiques pour des dépôts de films.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)