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1. (WO2009093994) DÉPÔT SÉLECTIF PAR CATALYSE MÉTALLIQUE DE MATÉRIAUX COMPRENANT DU GERMANIUM ET DE L'ANTIMOINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093994    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/000967
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 25.01.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.10.2008    
CIB :
C23C 30/00 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 28/00 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10548 (US) (Tous Sauf US).
GUHA, Supratik [US/US]; (US) (US Seulement).
MCFEELY, Fenton, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
YURKAS, John, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUHA, Supratik; (US).
MCFEELY, Fenton, R.; (US).
YURKAS, John, J.; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, Pc, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METAL CATALYZED SELECTIVE DEPOSITION OF MATERIALS INCLUDING GERMANIUM AND ANTIMONY
(FR) DÉPÔT SÉLECTIF PAR CATALYSE MÉTALLIQUE DE MATÉRIAUX COMPRENANT DU GERMANIUM ET DE L'ANTIMOINE
Abrégé : front page image
(EN)A chemical vapor deposition (CVD) method for selectively depositing GeSb materials onto a surface of a substrate is provided in which a metal that is capable of forming an eutectic alloy with germanium is used to catalyze the growth of the GeSb materials. A structure is also provided that includes a GeSb material located on preselected regions of a substrate. In accordance with the present invention, the GeSb material is sandwiched between a lower metal layer used to catalyze the growth of the GeSb and an upper surface metal layer that forms during the growth of the GeSb material.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) destiné à déposer sélectivement des matériaux GeSb sur une surface d'un substrat, un métal qui est capable de former un alliage eutectique avec le germanium étant utilisé pour catalyser la croissance des matériaux GeSb. L'invention concerne également une structure qui comprend un matériau GeSb placé sur des régions présélectionnées d'un substrat. Selon la présente invention, le matériau GeSb est intercalé entre une couche métallique inférieure utilisée pour catalyser la croissance du GeSb et une couche métallique de surface supérieure qui se forme pendant la croissance du matériau GeSb.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)