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1. (WO2009093770) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHES ISOLANTES À L'AIDE DE NANOTUBES DE CARBONE ET FORMATION ULTÉRIEURE DE NANOSTRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093770    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/000486
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 25.01.2008
CIB :
B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; San 31, Hyoja-dong, Nam-gu, Pohang-city, Kyungsangbuk-do 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
CHOI, Hee-Cheul [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
BYON, Hye-Ryung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Hee-Cheul; (KR).
BYON, Hye-Ryung; (KR)
Mandataire : Y.P. LEE, MOCK & PARTNERS; 1575-1 Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-875 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING OF INSULATING LAYERS USING CARBON NANOTUBES AND FORMATION OF NANOSTRUCTURES THEREAFTER
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHES ISOLANTES À L'AIDE DE NANOTUBES DE CARBONE ET FORMATION ULTÉRIEURE DE NANOSTRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method of etching insulating layers using carbon nanotubes and a nanostructure prepared using the same, the method including: forming insulating layers on a substrate; forming carbon nanotubes on the insulating layers; and forming nanotrenches on the insulating layer by carbothermal reduction of the insulating layers on which the carbon nanotubes are formed. The method of etching according to an embodiment of the present invention is more economical and simple compared to conventional methods, which require costly instruments and complex pretreatment processes for etching, and is also environmentally friendly since chemicals hazardous to human and the environment are not used. Moreover, the method uses carbon nanotubes with a diameter of 0.5 to 300 nm to produce nanotrenches on insulating layers with a width of 0.5 to 500 nm, which is difficult to achieve using conventional methods. Furthermore, nanostructures for highly integrated devices can be provided by forming the nanotrenches on the insulating layers.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure de couches isolantes à l'aide de nanotubes de carbone et une nanostructure préparée en utilisant ce dernier, le procédé comprenant les étapes qui consistent à former des couches isolantes sur un substrat, à former des nanotubes de carbone sur les couches isolantes et à former des nanotranchées sur la couche isolante par réduction carbothermique des couches isolantes sur lesquelles les nanotubes de carbone ont été formés. Le procédé de gravure selon un mode de réalisation de la présente invention est plus économique et plus simple que les procédés classiques qui requièrent des instruments coûteux et des opérations complexes de prétraitement pour la gravure, et il est également non polluant parce qu'il n'utilise pas de produit chimique dangereux pour l'homme et l'environnement. De plus, le procédé utilise des nanotubes de carbone d'un diamètre de 0,5 à 300 nm pour produire sur des couches isolantes des nanotranchées d'une largeur de 0,5 à 500 nm, ce qui est difficile à obtenir en utilisant des procédés classiques. En outre, il est possible de former des nanostructures pour des dispositifs à haute intégration en formant les nanotranchées sur les couches isolantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)