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1. (WO2009093762) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093762    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/052260
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 12.02.2009
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
KITABAYASHI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATAYAMA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KITABAYASHI, Hiroyuki; (JP).
KATAYAMA, Koji; (JP).
ARAKAWA, Satoshi; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3 Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 554-0024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-188718 22.07.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor element is provided with a GaN semiconductor layer forming step (S10); a step (S20) of forming an Al film on the GaN semiconductor layer; steps (S30, S40) of forming a mask layer composed of a material having an etching speed lower than that of a material constituting the Al mask; a step (S50) of forming a ridge section by partially removing the Al film and the GaN semiconductor layer by using the mask layer as a mask; a step (S60) of making the position of a side wall of an end surface of the Al film recede from the position of the side wall of the mask layer; a step (S70) of forming a protection film, which is composed of a material having an etching speed lower than that of the material constituting the Al film, on a side surface of the ridge section and on the upper surface of the mask layer; and a step (S80) of removing the mask layer and a part of the protection film formed on the upper surface of the mask layer by removing the Al film.
(FR)Cette invention concerne un procédé permettant de fabriquer un élément semi-conducteur, lequel procédé comprend une étape (S10) qui consiste à former une couche semi-conductrice GaN; une étape (S20) qui consiste à former un film Al sur la couche semi-conductrice GaN; des étapes (S30, S40) qui consiste à former une couche de masque composée d'un matériau présentant une vitesse de gravure inférieure à celle d'un matériau constituant le masque Al; une étape (S50) qui consiste à former une section de crête par élimination partielle du film Al et de la couche semi-conductrice GaN au moyen de la couche de masque utilisée en tant que masque; une étape (S60) qui consiste à établir la position d'une paroi latérale d'une surface d'extrémité du film Al en retrait par rapport à la position de la paroi latérale de la couche de masque; une étape (S70) qui consiste à former un film de protection qui est composé d'un matériau présentant une vitesse de gravure inférieure à celle du matériau constituant le film Al, sur une surface latérale de la section de crête et sur la surface supérieure de la couche de masque; et une étape (S80) qui consiste à éliminer la couche de masque et une partie du film de protection formé sur la surface supérieure de la couche de masque par élimination du film Al.
(JA) この発明に従った半導体素子の製造方法は、以下の工程:GaN系半導体層形成工程(S10)、GaN系半導体層上にAl膜を形成する工程(S20)、エッチング速度が、Al膜を構成する材料より小さい材料からなるマスク層を形成する工程(S30、S40)、マスク層をマスクとして用いて、Al膜およびGaN系半導体層を部分的に除去することにより、リッジ部を形成する工程(S50)、Al膜の端面の側壁の位置をマスク層の側壁の位置より後退させる工程(S60)、エッチング速度が、Al膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、リッジ部の側面およびマスク層の上部表面上に形成する工程(S70)、Al膜を除去することにより、マスク層および当該マスク層の上部表面上に形成された保護膜の部分を除去する工程(S80)、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)