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1. (WO2009093760) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE DE SILICIUM, SUPPORT DE STOCKAGE ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093760    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/051517
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 23.01.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.11.2009    
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KABE, Yoshiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAGAWA, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Hideo; (JP).
KABE, Yoshiro; (JP).
KITAGAWA, Junichi; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-013564 24.01.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM, STORAGE MEDIUM, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE DE SILICIUM, SUPPORT DE STOCKAGE ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) シリコン酸化膜の形成方法、記憶媒体、および、プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A silicon oxide film is formed on the sidewall as thin as possible as compared with the silicon oxide film formed on the bottom in oxidation of a silicon having a irregular shape. A plasma is generated under such conditions that the ratio of oxygen in a processing gas is within the range of 0.1-50% and the processing pressure is within the range of 1.3-667 Pa by using a plasma processing apparatus (100) which introduces a microwave into a chamber (1) by means of a planar antenna board (31) having a plurality of microwave radiation holes (32), while applying a high-frequency power to a stage (2). The ratio of the thickness of a silicon oxide film formed on the sidewall surface of a silicon having a irregular shape formed on a wafer (W) and the thickness of a silicon oxide film formed on the bottom wall surface of a recess (film thickness of sidewall surface/ film thickness of bottom wall surface) is set within the range of 0.6 or less by this plasma.
(FR)L'invention porte sur un film d'oxyde de silicium formé sur la paroi latérale et aussi mince que possible par rapport au film d'oxyde de silicium formé sur la paroi inférieure pendant l'oxydation d'un silicium de forme irrégulière. Un plasma est généré dans des conditions telles que la proportion d'oxygène dans le gaz de traitement se situe entre 0,1 et 50 % et la pression de traitement entre 1,3 et 677 Pa par utilisation d'un appareil de traitement par plasma (100) qui introduit une hyperfréquence dans une chambre (1) au moyen d'une carte d'antenne plane (31) munie d'une pluralité de trous de rayonnement hyperfréquence (32), tout en appliquant une puissance haute fréquence à une platine (2). Le rapport de l'épaisseur d'un film d'oxyde de silicium formé sur la surface de paroi latérale d'un silicium ayant une forme irrégulière formé sur une tranche (W) et de l'épaisseur d'un film d'oxyde de silicium formé sur la surface de paroi inférieure d'un renfoncement (épaisseur de film de surface latérale/épaisseur de film de surface de paroi inférieure) est réglé dans l'intervalle de 0,6 ou moins par ce plasma.
(JA)凹凸形状を有するシリコンの酸化処理において、側壁に形成されるシリコン酸化膜の膜厚を底部に比べて極力薄く形成する。 複数のマイクロ波放射孔32を有する平面アンテナ板31によりチャンバー1内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置100を用い、載置台2に高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が0.1%以上50%以下の範囲内であり、かつ処理圧力が1.3Pa異常667Pa以下の範囲内の条件でプラズマを生成させる。このプラズマにより、ウエハW上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比[側壁面の膜厚/底壁面の膜厚]が0.6以下の範囲内となるようにする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)