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1. (WO2009093753) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE NITRURE DE MÉTAL III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093753    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/051394
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 22.01.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01)
Déposants : NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHIMURA, Mikiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRAO, Takayuki; (JP).
IMAI, Katsuhiro; (JP).
ICHIMURA, Mikiya; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F, 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1080074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-013689 24.01.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING III METAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE NITRURE DE MÉTAL III
(JA) III族金属窒化物単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A template substrate (10A) provided with a substrate main body (1) and a base film (2) is used. The substrate main body has a side surface (1b) and a pair of main surfaces (1a), and the base film is formed on the main surface (1a) and composed of a III metal nitride single crystal. The III metal nitride single crystal (3) is grown at least on one of the main surfaces (1a) of the substrate main body (1) by a liquid phase method. The base film (2) has a protruding figure in planar view. A non-film-formed surface (4) whereupon the base film is not formed surrounds the entire circumference of the base film (2). The III metal nitride single crystal (3) grown from the base film (2) is not brought into contact with the III metal nitride single crystal grown from other base film.
(FR)La présente invention utilise un substrat matrice (10A) comprenant un corps principal de substrat (1) et un film de base (2). Le corps principal de substrat est muni d'une surface latérale (1b) et de deux surfaces principales (1a) ; le film de base est formé sur la surface principale (1a) et composé d'un monocristal de nitrure de métal III. Le monocristal de nitrure de métal III (3) croît au moins sur l'une des surfaces principales (1a) du corps principal de substrat (1) par un procédé en phase liquide. Le film de base (2) présente une forme en saillie en vue en plan. Une surface non formée par film (4), et donc sur laquelle le film de base n'est pas formé, entoure la circonférence entière du film de base (2). Le monocristal de nitrure de métal III (3) croissant à partir du film de base (2) n'est pas mis en contact avec le monocristal de nitrure de métal III croissant à partir de l'autre film de base.
(JA)側面1bおよび一対の主面1aを有する基板本体1と、主面1aに形成されたIII 族金属窒化物単結晶の下地膜2とを備えているテンプレート基板10Aを使用する。基板本体1の少なくとも一つの主面1aに液相法によってIII 族金属窒化物単結晶3を育成する。下地膜2が平面的に見て凸図形をなしている。下地膜が設けられていない未成面4が下地膜2の全周を包囲している。下地膜2から成長したIII 族金属窒化物単結晶3が、他の下地膜から成長したIII 族金属窒化物単結晶と接触しない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)