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1. (WO2009093724) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP UTILISANT UN OXYDE AMORPHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093724    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/051144
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 20.01.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
IWASAKI, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOYAL, Amita [IN/JP]; (JP) (US Seulement).
ITAGAKI, Naho [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWASAKI, Tatsuya; (JP).
GOYAL, Amita; (JP).
ITAGAKI, Naho; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-012592 23.01.2008 JP
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP UTILISANT UN OXYDE AMORPHE
Abrégé : front page image
(EN)A field-effect transistor includes at least a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, which are formed on a substrate. The channel layer is made of an amorphous oxide material that contains at least In and B, and the amorphous oxide material has an element ratio B/(In+B) of 0.05 or higher and 0.29 or lower.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ qui comprend au moins une couche de canal, une couche d'isolation de grille, une électrode source, une électrode de drain, ainsi qu'une électrode de grille, formées sur un substrat. La couche de canal est constituée d'un matériau d'oxyde amorphe qui contient au moins de l'In et du B, et le matériau d'oxyde amorphe possède un rapport d'élément B/(In+B) de 0,05 ou plus et 0,29 ou moins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)