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1. (WO2009093722) TRANSISTOR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093722    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/051142
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 20.01.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Ryo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Kenji; (JP).
HAYASHI, Ryo; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi, 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-012593 23.01.2008 JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) TRANSISTOR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN) A first gate electrode (2) is formed on a substrate (1); a first gate insulating layer (3) is formed so as to cover the first gate electrode (2); a semiconductor layer (4) including an oxide semiconductor is formed on the first gate insulating layer (3); a second gate insulating layer (7) is formed on the semiconductor layer (4); a second gate electrode (8) having a thickness equal to or larger than a thickness of the first gate electrode (2) is formed on the second gate insulating layer (7); and a drain electrode (6) and a source electrode (5) are formed so as to be connected to the semiconductor layer (4).
(FR)La présente invention concerne une première électrode de grille (2) constituée sur un substrat (1) ; une première couche d'isolation de grille (3) est formée de manière à couvrir la première électrode de grille (2) ; une couche à semi-conducteurs (4) comprenant un semi-conducteur à oxyde est formé sur la première couche d'isolation de grille (3) ; une seconde couche d'isolation de grille (7) est formée sur la couche à semi-conducteurs (4) ; une seconde électrode de grille (8) ayant une épaisseur égale ou supérieure à celle de la première électrode de grille (2) est formée sur la seconde couche d'isolation de grille (7) ; ainsi qu'une électrode de drain (6) et une électrode source (5) sont formées de manière à être connectées à la couche à semi-conducteurs (4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)