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1. (WO2009093683) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLECTRODE TRANSLUCIDE CONDUCTRICE POUR ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, LAMPE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET APPAREIL MÉCANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093683    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/051062
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 23.01.2009
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
SHINOHARA, Hironao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUNAGA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOKOYAMA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHINOHARA, Hironao; (JP).
FUKUNAGA, Naoki; (JP).
YOKOYAMA, Yasunori; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-014232 24.01.2008 JP
2008-068076 17.03.2008 JP
2008-273092 23.10.2008 JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME, CONDUCTIVE TRANSLUCENT ELECTRODE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, LAMP, ELECTRONIC DEVICE, AND MECHANICAL APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLECTRODE TRANSLUCIDE CONDUCTRICE POUR ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, LAMPE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET APPAREIL MÉCANIQUE
(JA) 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a compound semiconductor light emitting element provided with an n-type semiconductor layer (12) comprising a compound semiconductor, a light-emitting layer (13), and a p-type semiconductor layer (14) laminated in this order on a substrate (11), a positive pole (15) comprising a conductive translucent electrode, and a negative pole (17) comprising a conductive electrode, the conductive translucent electrode making up the positive pole (15) being a translucent conductive film including a crystal with an In2O3 composition having a hexagonal crystal structure.
(FR)La présente invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteur composé comprenant une couche de semi-conducteur de type n (12) comprenant un semi-conducteur composé, une couche d'émission de lumière (13), et une couche de semi-conducteur de type p (14) stratifiées dans cet ordre sur un substrat (11), un pôle positif (15) comprenant une électrode translucide conductrice, et un pôle négatif (17) comprenant une électrode conductrice, l'électrode translucide conductrice constituant le pôle positif (15) étant un film conducteur translucide comprenant un cristal ayant une composition In2O3 et à structure cristalline hexagonale.
(JA) 本発明は、基板(11)上に、化合物半導体からなるn型半導体層(12)、発光層(13)及びp型半導体層(14)がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極(15)及び導電型電極からなる負極(17)を備えてなり、正極(15)をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するInなる組成の結晶を含む透明導電膜であることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)