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1. (WO2009093598) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM DE PULVÉRISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093598    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/050843
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 21.01.2009
CIB :
C23C 14/35 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa, 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA, Hajime [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHINDOU, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUDA, Mayako [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHINO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Hajime; (JP).
SHINDOU, Takaaki; (JP).
MATSUDA, Mayako; (JP).
ISHINO, Koji; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo, 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-010336 21.01.2008 JP
Titre (EN) SPUTTERING FILM FORMING METHOD AND SPUTTERING FILM FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM DE PULVÉRISATION
(JA) スパッタ成膜方法およびスパッタ成膜装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a sputtering film forming method wherein a film is formed on a substrate by sputtering by using a magnetron cathode having a magnet arranged on the rear side of a target, transferring the substrate in a first direction on the front side of the target, and reciprocating the magnet in the first direction and a second direction opposite to the first direction. A moving speed of the magnet in the first direction is permitted to be different from that in the second direction.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de film de pulvérisation, un film étant formé sur un substrat par pulvérisation en utilisant une cathode magnétron qui possède un aimant disposé sur le côté arrière d'une cible, en transférant le substrat dans une première direction sur le côté avant de la cible, et en animant l'aimant d'un mouvement de va-et-vient dans la première direction et dans une seconde direction opposée à la première direction. Une vitesse de déplacement de l'aimant dans la première direction peut être différente de celle dans la seconde direction.
(JA) 本発明のスパッタ成膜方法は、ターゲットの裏面側に磁石を配置したマグネトロンカソードを使用し、前記ターゲットの表面側で基板を第1方向に搬送するとともに、前記第1方向および前記第1方向とは反対の第2方向に前記磁石を往復移動させて、前記基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜方法であって、前記磁石の前記第1方向における移動速度と、前記第2方向における移動速度とを異ならせてスパッタ成膜を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)