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1. (WO2009093459) APPAREIL DE DÉVELOPPEMENT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093459    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000240
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 22.01.2009
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. [JP/JP]; 6-4, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1048439 (JP) (Tous Sauf US).
MURATA, Kazutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WASHIO, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURATA, Kazutoshi; (JP).
WASHIO, Keisuke; (JP)
Mandataire : GLOBAL IP TOKYO; CARMEL II, 8-3-30, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-014647 25.01.2008 JP
Titre (EN) ATOMIC LAYER GROWING APPARATUS AND THIN FILM FORMING METHOD
(FR) APPAREIL DE DÉVELOPPEMENT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE
(JA) 原子層成長装置および薄膜形成方法
Abrégé : front page image
(EN)An antenna array for generating plasma by using an oxide gas and a substrate stage for placing a substrate are arranged in a film forming container. An antenna element is provided by coating a bar-like antenna main body with a dielectric material, and the antenna array is configured by arranging a plurality of antenna elements in parallel to each other. Furthermore, the antenna array is arranged in a space in the upstream in a gas flow direction of the oxide gas supplied to the substrate stage from a supply port formed on the side wall of the film forming container, compared with a position where the substrate is placed on the substrate stage.
(FR)Selon l'invention, un réseau d'antennes pour générer un plasma par utilisation d'un gaz oxyde et une platine porte-substrat pour placer un substrat sont agencés dans un contenant de formation de film. Un élément d'antenne est formé par revêtement d'un corps principal d'antenne de type barreau avec un matériau diélectrique, et le réseau d'antennes est configuré par agencement d'une pluralité d'éléments d'antenne en parallèle. En outre, le réseau d'antennes est agencé dans un espace situé en amont, dans un sens de circulation de gaz du gaz oxyde fourni à la platine porte-substrat à partir d'un port d'alimentation formé sur la paroi latérale du contenant de formation de film, par rapport à une position où le substrat est placé sur la platine porte-substrat.
(JA) 成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成されている。また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)