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1. (WO2009093289) DISPOSITIF LASER À SOLIDE EXCITÉ PAR LASER À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093289    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000789
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01S 3/109 (2006.01), G02F 1/37 (2006.01), H01S 3/094 (2006.01)
Déposants : SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabara-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, 6048511 (JP) (Tous Sauf US).
TOJO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIGAKI, Naoya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOJO, Koji; (JP).
ISHIGAKI, Naoya; (JP)
Mandataire : ARICHIKA, Shinshiro; 30-23, Takadanobaba 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo, 1690075 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-014504 25.01.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER EXCITED SOLID-STATE LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SOLIDE EXCITÉ PAR LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To allow a type-I nonlinear optical crystal and a quasi-phase matching element to be used as a third harmonic generating crystal. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A semiconductor laser excited solid-state laser device is provided with a semiconductor laser (1), a solid-state laser medium (3) outputting a fundamental wave, a second harmonic generating crystal (6) outputting a second harmonic wave from the fundamental wave, and a third harmonic generating crystal (5) outputting a third harmonic wave from the fundamental wave and the second harmonic wave. The second harmonic generating crystal (6) is a quasi-phase matching element. [EFFECTS] As the third harmonic generating crystal (5), the type-I nonlinear optical crystal and the quasi-phase matching element can be used.
(FR)La présente invention vise à permettre l'utilisation d'un cristal optique non linéaire de type I et d'un élément de phase quasi-cristalline correspondant comme cristal de génération de troisième harmonique. L'invention concerne un dispositif laser à solide excité par laser à semi-conducteurs équipé d'un laser à semi-conducteurs (1), un milieu laser à solide (3) émettant une onde fondamentale, un cristal de génération de seconde harmonique (6) émettant une seconde onde harmonique à partir de l'onde fondamentale, et un cristal de génération de troisième harmonique (5) émettant une onde de troisième harmonique à partir de l'onde fondamentale et de l'onde de seconde harmonique. Le cristal de génération de seconde harmonique (6) est un élément de phase quasi-cristalline correspondant. Comme que cristal de génération de troisième harmonique (5), on peut utiliser le cristal optique non linéaire de type I et l'élément de phase quasi-cristalline correspondant.
(JA)【課題】第3高調波発生用結晶としてタイプIの非線形光学結晶や擬似位相整合素子を用いうるようにする。 【解決手段】半導体レーザ(1)と、基本波を出力する固体レーザ媒質(3)と、基本波から第2高調波を出力する第2高調波発生用結晶(6)と、基本波および第2高調波から第3高調波を出力する第3高調波発生用結晶(5)とを具備し、第2高調波発生用結晶(6)が擬似位相整合素子である。 【効果】第3高調波発生用結晶(5)としてタイプIの非線形光学結晶や擬似位相整合素子を用いうる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)