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1. (WO2009093221) ORGANISATION ET LOGIQUE D'ENSEMBLE POUR PHOTO-DÉTECTEURS À GAIN ADAPTATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093221    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050291
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 25.01.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; NXP Semiconductors IP & L, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN DALEN, Rob [NL/NL]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VAN DALEN, Rob; (US)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul; c/o NXP Semiconductors, IP & L Department, Betchworth House, 57-65 Station Road, Redhill Surrey RH1 1DL (GB)
Données relatives à la priorité :
61/023,741 25.01.2008 US
Titre (EN) LAYOUT FOR ADAPTIVE GAIN PHOTODETECTORS
(FR) ORGANISATION ET LOGIQUE D'ENSEMBLE POUR PHOTO-DÉTECTEURS À GAIN ADAPTATIF
Abrégé : front page image
(EN)An imaging device having an integrated circuit die with an array that includes a plurality of pixels for collecting image data is described, having a single pixel. An electrical signal is produced in a photo-sensitive layer (106) in response to stimulus from photons. A portion of the produced electrical signal is received at a signal contact (102). A voltage is applied to a gate (110) of a controllable transistor located in the single pixel. The applied voltage forms a conductive channel in a non- conductive layer (114) that is distinct and different from the photo-sensitive layer, the non-conductive layer otherwise electrically isolating the drain (108) from the photo-sensitive layer with respect to the produced electrical signal. The photo-sensitive layer is used as a source of the controllable transistor. The channel is conductive with respect to the produced electrical signal.
(FR)La présente invention concerne la mise en œuvre de divers dispositifs, systèmes et procédés de détection de photons. On a recours à un tel procédé pour un dispositif d'imagerie comportant une puce à circuit intégré pourvue d'une matrice qui inclut une pluralité de pixels destinés à recueillir des données d'image. Le procédé est mis en œuvre dans un seul pixel. Un signal électrique est produit dans une couche photosensible en réaction à une stimulation provenant des photons. Une partie du signal électrique produit est reçue au niveau d'un contact de signal. Une tension est appliquée à une grille d'un transistor commandé situé dans le pixel unique. La tension appliquée forme un canal conducteur dans une couche non conductrice qui est distincte et différente de la couche photosensible, la couche non conductrice créant une isolation électrique entre le collecteur et la couche photosensible par rapport au signal électrique produit. La couche photosensible sert de source au transistor commandé. Le canal est conducteur par rapport au signal électrique produit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)