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1. (WO2009093170) DEL AU SILICIUM UTILISANT LES EFFETS DE TRAVERSÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093170    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050194
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 20.01.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01)
Déposants : INSIAVA (PTY) LIMITED [ZA/ZA]; 1st Floor Graduate Center University of Pretoria Lynnwood Road Hillcrest 0083 Pretoria (ZA) (Tous Sauf US).
DU PLESSIS, Monuko [ZA/ZA]; (ZA) (US Seulement)
Inventeurs : DU PLESSIS, Monuko; (ZA)
Mandataire : D M KISCH INC; P O Box 781218 2146 Sandton (ZA)
Données relatives à la priorité :
2008/00593 21.01.2008 ZA (Priority Withdrawn 26.11.2009)
2008/10604 15.12.2008 ZA
Titre (EN) SILICON LIGHT EMITTING DEVICE UTILISING REACH-THROUGH EFFECTS
(FR) DEL AU SILICIUM UTILISANT LES EFFETS DE TRAVERSÉE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device (10) comprises a body (12) of an indirect bandgap semiconductor material. A junction region (14) is formed between a first region (12.1 ) in the body of a first doping kind and a second region (12.2) of the body of a second doping kind of a first concentration. A third region (12.3) of the second doping kind of a second concentration is spaced from the junction region (14) by the second region (12.2). The second concentration is higher than the first concentration. A terminal arrangement (18) is connected to the body for, in use, reverse biasing the first junction region (14) into a breakdown mode, thereby to cause emission of light. The device is configured such that a depletion region associated with the junction region (14) reaches the third region (12.3), before the junction enters the breakdown mode.
(FR)L'invention porte sur une DEL (10) comprenant un corps (12) d'un matériau semi-conducteur à bande interdite indirecte. Une région de jonction (14) est formée entre une première région (12.1) du corps, d'un premier type de dopage, et une deuxième région (12.2) du corps, d'un deuxième type de dopage et d'une première concentration. Une troisième région (12.3) du deuxième type de dopage et d'une deuxième concentration est séparée de la région de jonction (14) par la deuxième région (12.2). La deuxième concentration étant supérieure à la première. Une borne (18) reliée au corps ramène la polarisation de la première région de jonction (14) en mode claquage ce qui cause l'émission de lumière. Le dispositif est conçu pour que la région d'appauvrissement associée à la région de jonction (14) atteigne la troisième région (12.3), avant que la jonction ne passe en mode claquage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)