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1. (WO2009093102) PROCÉDÉ DE FORMATION D'OUVERTURES DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS FABRIQUÉ PAR LE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093102    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/051303
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 23.01.2008
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/033 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
WARRICK, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
AMINPUR, Massud Abubaker [DE/FR]; (FR) (US Seulement).
CONLEY, Will [US/FR]; (FR) (US Seulement).
RIVIERE-CAZEAUX, Lionel [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WARRICK, Scott; (US).
AMINPUR, Massud Abubaker; (FR).
CONLEY, Will; (FR).
RIVIERE-CAZEAUX, Lionel; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF FORMING OPENINGS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'OUVERTURES DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS FABRIQUÉ PAR LE PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming openings (26) to a layer (4, 6, 14) of a semiconductor device comprises forming a dielectric layer (20) over the layer of the semiconductor device, and forming a mask (23) over the dielectric layer. The mask comprises a plurality of mask openings (24, 25) arranged in a regular pattern extending over the dielectric layer and the plurality of mask openings include a plurality of first mask openings (24) and a plurality of second mask openings (25), each of the plurality of first mask openings (24) being greater in size than each of the plurality of second mask openings (25). The method further comprises reducing the size of the plurality of second mask openings (25) such that each of the second mask openings (25) is substantially closed and removing portions of the dielectric layer (20) through the plurality of first mask openings (24) to provide openings (26) extending through the dielectric layer (20) to the layer (4, 6, 14).
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'ouvertures (26) sur une couche (4, 6, 14) d'un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend la formation d'une couche diélectrique (20) sur la couche du dispositif à semi-conducteurs et la formation d'un masque (23) sur la couche diélectrique. Le masque comporte une pluralité d'ouvertures de masque (24, 25) placée dans un motif régulier s'étendant sur la couche diélectrique et la pluralité d'ouvertures de masque comprend une pluralité de premières ouvertures de masque (24) et une pluralité de secondes ouvertures de masque (25), chaque pluralité de premières ouvertures de masque (24) étant supérieure en taille à chaque pluralité de secondes ouvertures de masque (25). Le procédé comprend également la réduction de la taille de la pluralité de secondes ouvertures de masque (25) de sorte que chacune des secondes ouvertures de masque (25) soit sensiblement fermée, ainsi que l'élimination de parties de la couche diélectrique (20) à travers la pluralité de premières ouvertures de masque (24) afin de réaliser des ouvertures (26) traversant la couche diélectrique (20) jusqu'à la couche (4, 6, 14).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)