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1. (WO2009092188) DISPOSITIF DE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/092188    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/002041
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 22.12.2008
CIB :
H01L 29/74 (2006.01)
Déposants : GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION [CN/CN]; No. 818, Guo Shou Jing Road Zhangjiang Hi-Tech Park Shanghai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
SHAN, Yi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
HE, Jun [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : SHAN, Yi; (CN).
HE, Jun; (CN)
Mandataire : SHANGHAI ZHI XIN PATENT AGENT LTD.; 26/F, Zhijun Building, 1223 Xie Tu Road, Shanghai 200032 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710172752.6 21.12.2007 CN
Titre (EN) DEVICE FOR ELECTROSTATIC DISCHARGING AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 用于静电放电的器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A device for electrostatic discharging and method of manufacturing thereof are provided. The method of manufacturing the device for electrostatic discharging includes the following steps: manufacturing P-well (200) on a provided substrate (100); manufacturing first N+ doped region (115), second N+ doped region (114) and P+ doped region (113) in the P-well (200), the second N+ doped region (114) is located between the first N+ doped region (115) and the P+ doped region (113), the both edges of each of the doped regions are separated from a shallow trench isolation (STI)(132); wherein a lightly doped source/drain region (119) between the firstN+ doped region (115) and the shallow trench isolation (132) abutted on it is manufactured by lightly doped source/drain method, and a halo injection (131) of inversion of a special doped region is manufactured under the lightly doped source/drain region. Accordingly, the trigger voltage of the device is reduced and reverse on-voltage of the collector of the device is reduced.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de décharge électrostatique et sur son procédé de fabrication qui comporte les étapes suivantes: formation d'un puits P (200) sur un substrat (100); formation d'une première région dopée N+ (115), d'une deuxième région dopée N+ (114) et d'une région dopée N+ (113) dans le puits P (200), la deuxième région dopée N+ (114) étant située entre la première région dopée N+ (115), et la région dopée P+ (113), les deux bords de chacune des régions dopées étant séparés par une tranchée isolante (STI)(132); formation d'une région source/drain (119) légèrement dopée entre la première région dopée N+ (115) et la tranchée isolante (132) sur laquelle elle butte; et formation d'une région dopée inverse spéciale par injection d'halo (131), sous la région source/drain (119) légèrement dopée. On peut ainsi réduire la tension de déclenchement du dispositif ainsi que la tension vive inverse du collecteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)